Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда

Оглавление
Введение
Глава I Концентрация и температура носителей заряда в режимах
спонтанного и индуцированного излучения из лазерных структур с квантовыми ямами ХпСаАвСаАв
1.1 Введение
1.2 Дизайн лазерных структур и основные параметры.
1.3 Режим спонтанного излучения.
1.4 Режим стимулированного излучения
1.5 Заключение
Глава II Динамика фотолюминесценции и рекомбинационные процессы в
БЬсодержащих лазерных наноструктурах
2.1 Введение
2.2 Наноструктуры и методика исследований.
2.3 Время жизни носителей заряда при разных оптической
накачки и температурах решетки.
2.4 Время жизни по отношению к ожерекомбинации.
2.5 Заключение
Глава III Фотолюминесценция в нанострукту рах с туннельносвязанными
квантовыми ямами СаАБАЮаАв
3.1 Введение
3.2 Энергетический спектр электронов в исследуемых структурах
3.3 Фотолюминесценция при разных уровнях накачки разогрев
носителей заряда при оптическом возбуждении
3.4 Фотолюминесценция горячих носителей заряда в латеральном
электрическом поле.
3.5 Заключение
Глава IV Поглощение света при внутризонных переходах горячих носителей заряда в квантовых ямах СаАвАЮаАв
4.1 Введение
4.2Наноструктуры п типа и энергетический спектр электронов.
4.3Поглощение света горячих электронов при внутризонных переходах горячих электронов в латеральных электрических полях в туннельносвязанных квантовых ямах ОаАБАЮаАБ
4.аключение
Заключение
Список публикаций автора
Литература