- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7325 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 (На примере ZnSe)
- Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
- Электрофизические методы исследования планарно-неоднородных и ионно-легированных МДП-структур
- Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
- Моделирование процессов образования пористого кремния и гомоэпитаксии на его поверхности
- Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники
- Термодинамика и кинетика образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Исследование двумеризации носителей заряда на поверхности полупроводников при комнатных температурах