- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7325 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Фотонамагничивание магнитных полупроводников и диэлектриков
- Электронный транспорт в наноструктурах с резкими потенциальными границами на основе гетероперехода AlGaAs/GaAs
- Комбинационное рассеяние света в массивах нанообъектов кремния и арсенида галлия
- Исследование физических процессов при электретировании диэлектрических пленок в плазме газового разряда и разработка электретных датчиков
- Электронные процессы на гетерогранице Ga2 Se3 /GaAs, сформированной обработкой GaAs в парах селена
- Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
- Разработка базовых функциональных структур для детекторного модуля ионизирующих излучений
- Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2 B6 (На примере ZnSe)
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Компьютерное моделирование роста наноструктур: нанокластеров и нанокристаллов