- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7325 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- Гистерезисные и автоволновые явления в полупроводниковом интерферометре Фабри-Перо с термооптической нелинейностью
- Разработка измерительного комплекса для контроля и исследования субмикронной КМОП технологии электрофизическими методами
- Комплексообразование в кремнии, легированном селеном
- Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах
- Изменение состояния легирующих примесей в кремнии при взаимодействии с радиационными дефектами и водородом
- Процессы испарения и кристаллизации окисных слоёв на германии