- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324427 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Нанесение коммутационных и антидиффузионных слоев на силициды переходных металлов и кремний
- Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
- Разработка физико-химических основ жидкофазной эпитаксии полупроводниковых нитридов
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
- Электропроводность сенсорных слоев диоксида олова модифицированной толщины
- Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия