- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование одноуровневого и многоуровневого режимов генерации в полупроводниковых лазерах на основе квантовых точек InAs/InGaAs
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324427 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование фотолюминесценции легированных композитных пленок PbSe и твердых растворов Pb1-xCdxSe
- Анизотропные полупроводниковые датчики интенсивности излучения миллиметрового диапазона
- Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
- Взаимодействие дефектов в кристаллической решетке теллурида кадмия
- Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
- Емкостная спектроскопия карбида кремния
- Поляризационные оптические эффекты в системах нанопроволок
- Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах
- Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
- Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах