Ви є тут

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Особенности излучательной и безызлучательной рекомбинации в квантоворазмерных структурах InGaN/GaN, GaAsN/GaN, связанные с характером организации наноматериала
• Энергетический спектр электронных и колебательных состояний в полупроводниковых нанокристаллах
• Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
• Кинетика и термодинамика комплексообразования и кластеризации дефектов в кремнии и германии
• Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
• Аномальный эффект Косселя в полупроводниковых структурах
• Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом
• Электронная структура дефектов в оксиде и нитриде кремния