Ви є тут

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование электронных состояний на поверхности теллура при низких температурах
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si
• Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
• Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Взаимодействие экситонов с оптическими фононами и шероховатостями границ раздела в квантовых ямах и нанопроволоках ZnCdSe/ZnSe
• Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
• Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
• Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
• Механизмы модификации электронной структуры, светоизлучающих свойств и состава поверхности пористого кремния в процессе водного дотравливания