Ви є тут

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Омические контакты металл-карбид кремния
• Энергетический спектр и вертикальная прыжковая проводимость сверхрешеток с контролируемым беспорядком
• Анализ самоорганизованных наноразмерных структур в имплантированном кремнии
• Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
• Электронно-тепловая модель эффектов переключения и памяти, основанная на многофононной туннельной ионизации U-минус центров в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
• Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
• Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
• Исследование легированных монокристаллов CdCr2Se4 и создание на их основе поверхностно-барьерных структур типа шоттки
• Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
• Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии