Ви є тут

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
• Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в тв#рдых растворах на основе висмута
• Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка
• Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
• Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5
• Локализованные состояния в гетеросистемах на основе кремния, сформированные в деформационных полях
• Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
• Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs
• Получение и исследование гетероструктур и приборов на основе твердых растворов InGaAsP