Ви є тут

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип роботи: 

Докторская

Рік: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Механизм релаксационных процессов в поливинилиденфториде
• Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
• Электронные процессы в системе Me-Ga2Se3-(SiOx)Si с различными металлическими контактами
• Люминесценция кристаллов вольфраматов двухвалентных элементов и свинца
• Исследование особенностей проявления дисперсионных сил в наноразмерных слоистых структурах на основе кремния
• Электронно-стимулированные изменения состава поверхности и фотолюминесценции кремниевых и карбидкремниевых наноразмерных структур
• Автокаталитический механизм спонтанной композиционной модуляции при эпитаксиальном росте трехкомпонентных соединений A III B V
• Особенности излучательной рекомбинации низкоразмерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs и GaAs/AlGaAs
• Полупроводниковые вертикально-излучающие лазеры на основе самоорганизующихся квантоворазмерных гетероструктур в системе материалов InGaAs-AlGaAs
• Возбуждение радикалорекомбинационной люминесценции кристаллофосфоров пакетами активных частиц газа большой плотности