Вы здесь

Эффекты межзонного туннелирования в полупроводниковых гетероструктурах

Автор: 

Захарова Анна Александровна

Тип работы: 

Докторская

Год: 

1998

Артикул:

1000206835

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Исследование эффективности InxGa1-xN/GaN светодиодов
• Физические основы инженерии дефектов в технологии кремниевых силовых высоковольтных и светоизлучающих структур
• Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с ламбда-1,3мкм
• Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
• Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
• Влияние оптического излучения на свойства газовых сенсоров на основе нанокристаллических пленок оксида олова
• Эмиссия электронов с поверхности полупроводников, стимулированная электрическим полем и гетерогенной химической реакцией
• Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
• Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями
• Электрические и фотоэлектрические явления в гетероструктурах и диодах Шоттки на основе полупроводников A3B5 и кремния и их применение в сенсорах водорода