Электронная микроскопия полупроводниковых структур с наноразмерными включениями

Оглавление
Введение
Глава 1. Электронная микроскопия полупроводниковых структур
1.1. Подготовка образцов
1.2. Формирование контраста на электронномикроскопических изображениях
1.3. Измерение толщин слоев и визуализация наноразмерных включений преципитатов и квантовых точек
1.4 Арсенид галлия, выращенный при низкой
температуре методом молекулярно лучевой эпитаксии
1.5. Полупроводниковые структуры с квантовыми точками
Глава 2. Развитие топографии поверхности поперечного сечения полупроводниковой гегероструктуры под воздействием бомбардировки ионами Аг
2.1. Мотивация
2.2. Теоретическая модель
2.3. Численные расчеты
2.4. Экспериментальные результаты распыления гетероструктур
2.5. Выводы
Глава 3. Исследование аАв, выращенного при низкой
температуре. Дельта легирование 1п, структура 8 слоев 1п, взаимодиффузия 1п и Оа
3.1. Мотивация
3.2. Микроструктура дельта слоев индия в матрице СаЛэ, выращенного при низкой температуре
3.3.Численное решение уравнения диффузии коэффициенты взаимодиффузии 1п и Оа в матрице низкотемпературного арсенида галлия
ЗАСоздание двухмерных систем кластеров в
полупроводниковых структурах с ЬТваАз
3.5. Выводы
Глава 4. Полупроводниковые системы с квантовыми точками
4.1. Мотивация
4.2 .Теоретическое моделирование электронно
микроскопических изображений квантовых точек, оценка размеров и формы.
4.3. Определение электронной структуры квантовых точек
4.4. Квантовые точки в квантовой яме
4.5. Выводы
Заключение
Список литературы