Ви є тут

Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия

Автор: 
Мустафа Назар Селман
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
1999
Кількість сторінок: 
137
Артикул:
1000237746
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Оглавление
Введение
Глава 1. Дефекты и дефектообразование в структурах 88Ю2
1.1 Строение термически полученного окисного слоя на поверхности кремния
1.2 Дефекты в слоях двуокиси кремния на кремнии
1.3 Дефектообразование в структурах 88Юг.
Глава 2. Методика эксперимента.
2.1 Используемые образцы.
2.2 Экспериментальные методы исследования
2.2.1 Особенности системы электролитдиэлектрикполу
проводник ЭДП.
2.2.2 Измерение ВЧ вольтфарадных характеристик систе
мы 88Ю2злектролит
2.2.3 Метод полевых циклов
2.2.4 Метод послойного стравливания.
2.3 Метод кинетиктока
2.4 Метод последовательных кинетик тока
Выводы к главе 2.
Глава 3. Исследование изменений зарядового состояния структур 88 в результате полевых воздействий
3.1 Исследование процессов дефектообразования в структурах в8 сох нм
3.2 Характеристики электрически активных центров, образующихся при полевом воздействии на структуры из области
полей ЕЗ.
3.3 Изменение зарядового состояния структур i i.
3.3.1 Исследование структур i i методом полевых
3.3.2 Исследование ii методами кинетики V и по
слойного профилирования.
3.4 Исследование процессов дефектообразования в структурах ii x нм
3.4.1 Полевые циклы, полученные на структурах ii
x нм.
3.4.2. Кинетика V при полевых воздействиях из области электрических полей ЕЗ на структуры ii
x нм.
Выводы к главе 3.
Глава 4. Исследование изменений зарядового состояния структур iiX, в процессе полевого воздействия.
4.1 Изменение зарядового состояния структур ii
x нм в процессе полевого воздействия из области полей ЕЗ.
4.1.1 Кинетики сквозного тока системы ii электролит в
области электрических полей ЕЗ
4.1.2 О стабильности зарядов, образующихся в структурах
ii непосредственно в процессе полевого воздействия
4.1.3 Определение параметров зарядов, образующихся в
структурах ii в результате полевого воздействия в области полей ЕЗ
4.1.4 Использование метода последовательной регистрации
кинетик тока для изучения процессов образования зарядов в подвергнутых полевому воздействию структурах ББ.
4.1.5 Аномальное поведение кинетик тока и потенциала
плоских зон структур ББО., сох нм.
4.2 Изменение зарядового состояния структур ББЮ
сох нм в процессе полевого воздействия в области ЕЗ
Выводы к главе 4
Глава 5. Процессы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов в структурах ББ
5.1. Обобщение экспериментальных результатов
5.2. Возможные механизмы полевого дефектообразования и природа образующихся дефектов.
Выводы к главе 5
Основные выводы
Литература