Ви є тут

Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия

Автор: 

Гилинский Александр Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

476101

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование методом эллипсометрии диэлектрических и полупроводниковых структур микроэлектроники
• Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
• Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
• Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
• Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом
• Периодические оптические неоднородности в полупроводниковых волноводных гетероструктурах
• Генерационно-рекомбинационные процессы с участием глубоких уровней в кремниевых силовых транзисторах
• Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
• Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
• Фотоэлектронные свойства гетеронаноструктур GaAs/In(Ga)As с комбинированными слоями квантовых ЯМ и самоорганизованных квантовых точек, выращенных газофазной МОС-гидридной эпитаксией