Ви є тут

Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия

Автор: 

Гилинский Александр Михайлович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

476101

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Поляризационная спектроскопия полупроводниковых микрорезонаторов Фабри-Перо на основе гидрогенизированного аморфного кремния
• Излучательная комбинация в арсениде галлия, легированном изовалентными примесями In, Sb, Bi, и в неоднородных твердых растворах на его основе
• Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое
• Теплопроводность халькогенидов свинца и твердых растворов на основе PbTe
• Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHg1-xTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Квазиландауское магнитопоглощение ридберговских состояний экситона в полупроводниках
• Эффект замороженной туннельной фотопроводимости в двумерной электронной системе приповерхностного Z-легированного слоя в GaAs
• Излучательная и безызлучательная рекомбинация в длинноволновых лазерных гетероструктурах пониженной размерности, выращенных на подложках GaAs
• Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
• Влияние анизотропии упругих свойств на спинодальный распад в твердых растворах полупроводников типа A3 B5 и A2 B6