- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
- Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
- Исследование фосфида индия, арсенида галлия и их твердых растворов методами фото- и электроотражения
- Динамическая модель процессов формирования трехмерных кластеров в кремнии
- Низькочастотна діелектрична поляризація кристалів селенідів індію та галію
- Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза
- Низкотемпературная туннельная спектроскопия и сканирующая туннельная микроскопия халькогенидов свинца
- Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6