- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Теория фотоэлектрических явлений, обусловленных отсутствием центральной симметрии среды
- Резонансное туннелирование в гетероструктурах с латеральными неоднородностями
- Электронная структура, геометрия и спиновые свойства монофталоцианинов переходных металлов и элементов III и IV группы
- Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
- Локальная плотность электронных состояний в структурах полупроводник-диэлектрик
- Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
- Кинетические свойства размерно-квантованных систем в электрическом и магнитном полях
- Исследование энергетических и временных параметров фазовых переходов в халькогенидном соединении Ge2Sb2Te5
- Исследование процессов эпитаксиального роста четверных твердых растворов InGaAsP в области несмешиваемости
- Междолинное рассеяние электронов на фононах в сверхрешетках (GaAs)m(AlAs)n