- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Полупроводниковые самоорганизованные наноматериалы - нелинейные системы с фрактальной размерностью
- Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование фотоэлектрических процессов в фотоприемниках на основе диодов Шоттки и приборов с зарядовой связью
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Электронные состояния в GaAs и в гетероструктурах Ga2Se3/GaAs
- Особенности электронно-энергетического строения и оптических свойств нанокомпозитов с железом и кобальтом в пористом кремнии
- Емкостная спектроскопия электронных состояний в гетероструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Моделирование и исследование полупроводниковых приборов с N-образными вольт-амперными характеристиками
- Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами и точками GaAs/In x Ga1-x As
- Оптические свойства наноструктур полупроводник-диэлектрик