- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Люминесценция и поглощение излучения среднего ИК диапазона в наноструктурах с квантовыми ямами в условиях разогрева носителей заряда
- Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN
- Радиационно-индуцированные структурные превращения в графите
- Полевые и биполярные приборы на основе карбида кремния
- Неравновесные распределения и дальнее инфракрасное излучение горячих носителей заряда в одноосно деформированном германии и в электронно-дырочной плазме кремния
- Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
- Микроструктура и свойства тонких пленок SnO2, предназначенных для создания сенсоров восстановительных газов
- МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле
- Размерные эффекты и релаксационные явления в квазиодномерных проводниках с волной зарядовой плотности
- Оптические исследования эффектов влияния спонтанного упорядочения атомов на свойства твердых растворов InGaP_2, In_xGa_1-xAs и GaAs_1-xSb_x