- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип роботи:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Рік:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Малая треугольная квантовая точка: формирование, эффекты кулоновской блокады и одночастичной интерференции
- Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
- Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта усталости ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
- Фотоэмиссионные исследования электронной структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
- Особенности вертикального переноса электронов в сверхрешетках с контролируемым беспорядком
- Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца
- Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков