- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
Тип работы:
технология эпитаксиального выращивания и исследов
Год:
2006
Артикул:
7346 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Энергетическая структура многоэлектронных атомов
- Разработка и исследование молекулярно-лучевой эпитаксии наноструктур ZnCdSeS/GaAs из металлорганических соединений
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
- Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
- Высокоэффективные Al-Ga-As солнечные фотопреобразователи, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
- Структурные и оптические свойства нанокластеров кремния в матрице субоксида кремния
- Кинетико-релаксационные процессы зарядового перераспределения в структурах на основе кристаллов силленитов
- Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
- Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии