- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7409 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой
- Субмиллиметровая спектроскопия двумерных полупроводниковых структур в сильном магнитном поле
- Электронные, оптические и механические свойства кристаллов Ga1-x(Inx, Alx)Se, GaSe1-x(Sx, Tex) нелинейной оптики терагерцового диапазона
- Физические основы технологии ядерного легирования In-содержащих полупроводниковых соединений AIIIBV
- Герметичные модули для термопарных (ХА) кабелей гермовводов на основе стеклокристаллических и керамических материалов
- Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x=>< 0.175)=
- Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
- Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2+S4 и ZnAl2+S4
- Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP