Ви є тут

Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния

Автор: 

Тонких Александр Александрович

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2005

Артикул:

7409

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
• Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
• Получение и свойства ультратонких пленок аморфного кремния и многослойных периодических наноструктур на их основе
• Эффекты переключения мод в AlGaAs/InGaAs/GaAs полупроводниковых лазерах и интегрально-оптические модуляторы мощного излучения на их основе
• Создание и исследование источников спонтанного и когерентного излучения на основе AIIIBV для средней ИК-области спектра (?=2-5 мкм)
• Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов бора
• Определение энергетического спектра гетероструктур с квантовыми ямами в системе InGaAs/GaAs по данным спектроскопии адмиттанса
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота : Применение для p-легирования ZnSe и роста GaN
• Формирование и свойства трехмерных GaAs/InGaAs наноструктур
• Атомно-силовая микроскопия заращенных Si,Ge наноразмерных островков : диагностика и зарядовая нанолитография