- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7409 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
- Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка
- Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой
- Воздействие ионизирующих излучений и импульсных магнитных полей на поверхностные свойства полупроводников
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
- Влияние внутренних электрических и упругих полей моно-, микро- и нанокристаллов на характеристические параметры глубоких центров в халькогенидах цинка
- Высокочастотные акустические и магнитные исследования бората железа и слаболегированных лантан-стронциевых манганитов состава La1-xSrxMnO3 (0.12 < x < 0.175)
- Моделирование процессов термического отжига и высокотемпературной карбонизации пористого кремния