- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Полупроводниковые гетероструктуры с Ge/Si квантовыми точками для излучающих приборов на основе кремния
Тип работы:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Год:
2005
Артикул:
7409 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe
- Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
- Образование дефектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
- Гетероэпитаксия ZnTe, CdTe и твердых растворов CdHgTe на подложках GaAs и Si
- Гетероструктуры с квантовыми точками InGaAs/AlGaAs/GaAs и InAs/InGaAs/InP для лазерных применений
- Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
- Дефектообразование в кремнии при облучении альфа-частицами с энергией 5,4 МэВ
- Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O) : с привлечением теории непересекающихся зон
- Периодические неоднородности, сформированные на поверхности полупроводниковых приборов с гетеропереходом