Ви є тут

Исследование процессов образования, активации и аннигиляции электрически активных точечных дефектов в CdxHg1-xTe

Автор: 
Сидоров Георгий Юрьевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2011
Кількість сторінок: 
156
Артикул:
137951
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Введение
1 Литературный обзор
Тенденции развития ИК фотоприемников
11 Электрофизические свойства КРТ
1 2. Электрически активные точечные дефекты в КРТ
1.2.1. Собственные точечные дефекты в xi.x
1.2.1.1. Вакансии в подрешетке металла
1.2.1.2. Мсждоузельная ртуть
1.2.1.3. Антиструкгурный теллур
1.2.2. Легирующие примеси в КРТ
1.2.2.1. Легирование индием
1.2.2.2. Легирование мышьяком
1.2.2.3. Гидрогенизация КРТ
13. Фоточувствительные структуры на основе КРТ
1.3.1. Планарная технология фотодиодов на основе КРТ
1.3.2. Технология мезафогодиодов на основе КРТ
14. Проблемы легирования гетероструктур КРТ, требующие изучения
2 Экспериментальные методики
2.1. Методики термообработок
2.1.1. Термообработки для получения КРТ типа проводимости
2.1.2. Термообработки для получения КРТ типа проводимости
2.1.3. Методика проведения активационных отжигов
2.2. Методики измерений
2.2.1. Измерение концентрации и подвижности носителей методом Холла
2.2.2. Оценка погрешности результатов измерений концентрации и подвижности носителей методом Холла
2.2.3. Методика выполнения измерений времени жизни неравновесных носителей заряда в гетероэпитаксиальных структурах кадмийртутьтеллур
2.2.4. Оценка погрешности результатов измерений времени жизни неравновесных
носителей заряда
2.2.5. Измерение толщины пленок КРТ по спектрам пропускания
2.2.6. Методика определения профилей концентрации носителей заряда в пленках
2.2.7. Методика измерения и анализ магнетополевых зависимостей проводимости и
коэффициента Холла пленок КРТ
3 Концентрации вакансии в подрешетке металла твердых растворов тел
луридов кадмия и ртути в зависимости от состава
3.1. Зависимость концентрации вакансий в подрешетке металла от активности
теллура
3.2. Влияние окисления КРТ на образование вакансий в подрешетке металла
3.3. Заключение
4 Электрофизические параметры легированных ГЭС КРТ МЛЭ
4.1 Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его
встраивания в пленки в процессе МЛЭ
4.2. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок КРТ МЛЭ
от уровня легирования индием
4.2.1. Физикохимические основы легирования слоев xx в методе МЛЭ
4.2.2. Экспериментальные результаты и обсуждение
4.3. Заключение
5 Влияние гидрогенизации на свойства эпитаксиальных структур xi
5.1. Экспериментальные результаты и обсуждение
5.1.1. гидрогенизация кипячением в водных растворах
5.1.2. г идрогенизация посредством электрохимических обработок
5.2. о возможности переходов между различными состояниями водорода в КРТ
53. Заключение
Выводы
Список цитированной литературы