Ви є тут

Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А^3 В^5

Автор: 

Турищев Сергей Юрьевич

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2004

Артикул:

7457

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Эффект поля, зарядовые состояния и ИК фотопроводимость в гетероструктурах на основе Si с квантовыми точками Ge
• Анализ областей несмешиваемости квазибинарных твердых растворов III-V и II-VI групп
• Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs_1-yN_y и In_xGa_1-xAs_1-yN_y твердых растворах
• Люминесценция и преобразование энергии в минералах, керамиках и катализаторах при лазерном и рентгеновском возбуждении
• Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
• Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
• Электронные процессы в гетероструктурах на основе монокристаллического кремния и неупорядоченных материалов
• Исследование структуры частиц веществ наноразмерной дисперсности
• Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников