- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
Тип роботи:
азот и висмут в GaP Ленинград, 1985 192 c.
Рік:
1985
Артикул:
7514 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Закономерности оптических и колебательных спектров твердых растворов Ti1-xCuxInS2(0?X?0,015)
- Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
- Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Поляризация горячей фотолюминесценции в магнитном поле в кристаллах арсенида галлия
- Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках
- Квазиландауское магнитопоглощение ридберговских состояний экситона в полупроводниках
- Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза
- Аномальный транспорт и спиновая динамика в двумерных полупроводниковых системах
- Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала