- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
Тип роботи:
азот и висмут в GaP Ленинград, 1985 192 c.
Рік:
1985
Артикул:
7514 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Исследование газочувствительности тонких пленок оксида олова и возможности их применения для распознавания газов
- Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
- Применение теории гармонических колебаний для описания релаксационной поляризации в высокоглиноземистых керамиках
- Спектры краевой фотолюминесценции эпитаксиальных слоев GaAs, InGaAs, InGaAsP в условиях флуктуаций легирования и состава
- Эффекты низкоэнергетического ионного воздействия при эпитаксии Ge на Si
- Оптическая и магнитооптическая спектроскопия ZnSe и низкоразмерных гетеросистем на его основе
- Электронно-ионное взаимодействие и туннельный эффект в кремниевых структурах металл–окисел–полупроводник
- Исследование фотоэлектрических явлений в структурах с Р-П-переходом на базе антимонида индия
- Видимая и ближняя инфракрасная фотолюминесценция тонких пленок гидрогенизированного кремния