- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами азот и висмут в GaP
Тип роботи:
азот и висмут в GaP Ленинград, 1985 192 c.
Рік:
1985
Артикул:
7514 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические явления в полупроводниках и полупроводниковых наноструктурах, связанные с неравновесными свободными носителями заряда
- Фотоиндуцированные электронные процессы и структурные перестройки в полупроводниковых системах пониженной размерности
- Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
- Экситонная фотолюминесценция арсенида галлия высокой степени чистоты
- Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
- Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Новые аллотропные формы кремния
- Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
- Исследование временной стабильности и моделирование параметров фотоприемников из антимонида индия с целью оптимизации их конструкции и технологии
- Свойства гетероэпитаксиальных структур 3C-SiC/Si, полученных химическим газотранспортным методом, и тензопреобразователи на их основе