Ви є тут

Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур

Автор: 

Чайка Александр Николаевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000207912

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
• Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
• Явления переноса в полупроводниковых пленках
• Создание и исследование локализованных одномерных и двумерных наноструктур для систем диагностики
• Оптические и фотоэлектрические свойства твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка в ИК-области спектра
• Субнаносекундные коммутаторы на основе гетеропереходов в системе GaAs(InGaAs)-AlGaAs : Разработка технологии и исследование свойств
• Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
• Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
• Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
• Моделирование воздействия ионизирующих излучений на зарядовые свойства структур poly-Si-SiO2 (P)-Si