Исследование фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов A III B V для селективных фотоприемников

Содержание
Список обозначений.
Введение.
1. Свойства фотодиодных структур на основе фосфида галлия и твердых растворов АШВУ обзор литературы.
. 1. Свойства и характеристики контактов металлполу про водник
1.1.1. Зонные диаграммы.
1.1.2. Механизмы протекания тока и вольтамперные характеристики контактов металлполупроводник.
1.1.3. Вольтфарадные характеристики контакта металл полупроводник.
1.1.4. Высота потенциального барьера контакта металл полупроводник.
1.1.5. Методы определения высоты потенциального барьера
1.1.6. Фотоэлектрические свойства контакта металлполупроводник
1.2. Свойства и характеристики рппереходов
1.2.1. Зонные диаграммы и вольтамперные характеристики рппереходов.
1.2.2. Использование рпперехода в качестве фотодетектора
1.3. Параметры и свойства фосфида галлия и твердых растворов АШВУ
1.3.1. Параметры и свойства фосфида галлия
1.3.2. Параметры и свойства и твердых растворов А17.
2. Технология получения структур металл полупроводник и установки для исследования их характеристик.
2.1. Технология получения структур металлполупроводник.
2.2. Установка для исследования вольтамперных характеристик
контактов.
2.2.1. Установка для исследования вольтфарадных характеристик контактов.
2.3. Установка для исследования спектральных характеристик контактов металл полупроводник
3. Исследование характеристик контакта металл фосфид галлиябв
3.1. Диагностика контакта металлфосфид галлия методом элекзпронной Оже спектроскопии.
3.2. Исследование прямых вольтамперных характеристик структур металл фосфид галлия
3.3. Исследование обратных вольтамперных характеристик структур металл фосфид галлия.
3.4. Исследование вольтфарадных характеристик структур металл фосфид галлия,.
3.5. Исследование спектральных характеристик структур металл фосфид галлия
3.6. Определение высоты барьера
4. Исследование фотодиодных структур на основе твердых растворов АМВУ
4.1. Исследование влияния поверхностной рекомбинации на спектр чувствительности фотодиодных структур
4.2. Исследование спектральных характеристик структур металл полупроводник с использованием эффекта широкозонного окна.
5. Рабочие характеристики изготовленных фотоприемников
5.1. Рабочие характеристики селективных УФ фотоприемников на основе контакта металлфосфид галлия
5.2. Рабочие характеристики селективных фотоприемников на
основе твердых растворов АП1ВУ
Заключение
Литература