Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. МЕЖЗОННОЕ ПОГЛОЩЕНИЕ ДЛИННОВОЛНОВОГО ИК ИЗЛУЧЕНИЯ В ТРАПЕЦЕИДАЛЬНЫХ ЛЕГИРОВАННЫХ СВЕРХРЕШЕТКАХ ТСР.,.
1.1 Структура ТСР.
1.2 Поглощение ИК излучения в областях сверхсилыюго
электрического поля ТСР .
1.3 Эффективный коэффициент поглощения
ИК излучения в ТСР.
ГЛАВА 2. СТАТИСТИКА И ТУННЕЛЬНО ИЗЛУЧАТЕЛЬНЛЯ РЕКОМБИНАЦИЯ ПРОСТРАНСТВЕННО РАЗДЕЛЕННЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ТСР.
2.1 Статистика носителей заряда в ТСР.
2.2 Туппельно излучательная рекомбинация в ТСР.
2.3 Люмппесценция ТСР.
2.4 Прямая рекомбинация Шокли Рида в ТСР
ГЛАВА 3. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ПОРОГОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОРЕЗИСТОРОВ НА ОСНОВЕ ТСР.
3.1 Фотопроводимость ТСР .
3.2 Фоточувствптельность ТСР фоторезистора
3.3 Пороговые характеристики ТСР фоторезистора .
ГЛАВА 4. ИК МАТРИЦЫ С БОЛЬШИМ ВРЕМЕНЕМ НАКОПЛЕНИЯ ФОТОСИГНАЛА
4.1 Физика работы и эквивалентная схема планарной
ИК матрицы.
4.2 Локальная туннельная генерация носителей в
фоточувствительных элементах ИК матриц
4.3 Время накопления фотосигнала.
4.4 Гибридная И К матрица
4.5 Фотоэлектрические и пороговые характеристики
ИК матриц .
4.6 Предельные параметры ИК матриц.
4.7 Взаимное влияние процессов накопления и считывания фотосигнала. Режим ускоренного опроса .
4.8 Физика работы матрицы в условиях сильных засветок. Нелинейный фотоотклик
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА