Ви є тут

Теоретическое исследование оптических свойств полупроводниковых лазерных структур на основе нитридов металлов III группы

Автор: 

Бугров Владислав Евгеньевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000213920

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
• Влияние легирования и длительного освещения на плотность электронных состояний в щели подвижности микрокристаллического и аморфного гидрированного кремния
• Влияние состояния ионов и дефектов нестехиометрии на электромагнитные явления в ферримагнитных полупроводниках
• Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
• Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца
• Формирование террасированных поверхностей арсенида галлия в равновесных условиях
• Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках
• Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
• Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
• Процесс формирования экситонов в GaAs и AlGaAs при нерезонансном оптическом возбуждении