- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
130
Артикул:
137307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства слоев и гетероструктур на основе нитридов III группы
- Электронная микроскопия полупроводников с учетом реальных закономерностей освещения образца и рассеяния электронов
- Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
- Электрические свойства сверхрешеток из квантовых точек
- Перестраиваемые лазеры на основе гетероструктур InAsSb/InAsSbP, работающие в спектральном диапазоне 3-4 мкм
- Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
- Исследование многослойных футочувствительных структур на основе эпитаксиальных слоев ZnTe и CdSe
- Взаимосвязь процессов лавинной инжекции горячих электронов и генерации поверхностных дефектов в системе кремний-двуокись кремния