- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
130
Артикул:
137307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
- Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния
- Захват свободных носителей заряда на глубокие уровни в слоях объёмного заряда арсенида галлия
- Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии
- Физико-технологические основы ионообменных процессов в кристаллах полупроводников и сегнетоэлектриков для исследования свойств материалов и целей интегральной оптоэлектроники
- Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
- Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии
- Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами