- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе, изготовленных методом сращивания и водородного расслоения
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2010
Кількість сторінок:
130
Артикул:
137307 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование электрических и емкостных свойств слоев пористого кремния различной морфологии и пористости
- Оптические явления, связанные с локализованными и резонансными состояниями в полупроводниковых структурах
- Дефектообразование в структурах Si-SiO2 в процессе полевого воздействия
- Энергетический спектр гетероструктур GaAs/GaP и GaSb/GaP
- Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
- Получение и исследование полуизолирующего монокристаллического карбида кремния
- Определение энергетических и динамических характеристик гетероструктур с квантовыми точками методами емкостной спектроскопии
- Получение и исследование оптических свойств нитевидных полупроводниковых оксидов SnO2 и In2O3
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Спектроскопия глубоких уровней в полупроводниковых структурах