- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
114
Артикул:
7268 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование оптических характеристик полупроводниковых кристаллов с узкими энергетическими зонами
- Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
- Особенности локальной проводимости и спектральной плотности туннельного тока в полупроводниковых наноструктурах при наличии примесных состояний
- Разработка методов улучшения параметров монокристаллических элементов акустоэлектроники на основе исследования анизотропии кристаллов
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2#S4 и ZnAl2#S4
- Термодинамика и кинетика образования комплексов с участием вакансий в кремнии и германии
- Атомная структура и электронные свойства границы раздела GaAs(100)-(Cs, O)
- Взаимодействие экситонов с оптическими фононами и шероховатостями границ раздела в квантовых ямах и нанопроволоках ZnCdSe/ZnSe
- Электрические свойства ионно-легированных и эпитаксиальных p-n переходов на основе фосфида галлия
- Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния