- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
114
Артикул:
7268 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
- Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных пл#нок
- Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
- Термодинамика легирования и образования точечных дефектов в кремнии
- Электронная структура напряженных гетероструктур Ge/Si с вертикально совмещенными квантовыми точками Ge
- Формирование нанокристаллов кремния в диэлектрических пленках при импульсных лазерных воздействиях
- Спектры спинволновых возбуждений доменных границ в сильно- и слабоанизотропных ферримагнетиках