- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Кількість сторінок:
114
Артикул:
7268 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование фотосенсибилизированной генерации синглетного кислорода в ансамблях кремниевых нанокристаллов
- Полупроводниковые квантово-размерные гетероструктуры на основе широкозонных соединений A2 B6 : Основы технологии получения методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
- Моделирование электронного транспорта в полупроводниковых гетероструктурах с туннельно-связанными квантовыми ямами
- Исследование электронной и атомной структуры систем Gd/GaAs(110) и Dy/GaAs(110) в широком интервале температур
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
- Спектроскопия адмиттанса полупроводниковых наногетероструктур
- Нелинейные эффекты при распаде полупроводниковых твердых растворов в эпитаксиальных пленках
- Перенос заряда в аморфных диэлектрических слоях структур металл-диэлектрик-полупроводник в сильных электрических полях
- Массоперенос в полупроводниковых материалах с участием жидкой фазы
- Особенности структуры и колебательные спектры силленитов