- Киев+380960830922
Вы здесь
Введите ключевые слова для поиска диссертаций:
Принципы построения и свойства гетероструктур на основе соединений III-N, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип работы:
диссертация кандидата физико-математических наук
Год:
2007
Количество страниц:
114
Артикул:
7268 179 грн
Рекомендуемые диссертации
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике α-Fe2 O3
- Электрооптические свойства спиральной смектической С-фазы жидкого кристалла
- Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе
- Эмиссия горячих электронов через межфазные границы металл-полупроводник и полупроводник-газ
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе Z-Si:H, полученных в плазме НЧ разряда
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Инжекционные лазеры на основе самоорганизующихся квантовых точек
- Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5
- Мощный полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al,Ga)N/GaN