- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Анализ особенностей оптических и электрических свойств сложных алмазоподобных полупроводников и гетероструктур на их основе
Тип роботи:
Дис. д-ра физ.-мат. наук
Рік:
2004
Артикул:
7427 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические и структурные свойства квантовых точек (In,Ga,Al)As на подложках арсенида галлия для светоизлучающих приборов диапазона 1.3-1.55 мкм
- Влияние электрического поля на скорость оптических и термических переходов с глубоких уровней в арсениде галлия
- Математические модели процессов, протекающих на границе \"полупроводник - газ\" и межфазных границах структуры \"металлическая плёнка - полупроводник\", помещённой в активный газ
- Дихроизм и двулучепереломление растворов красителей, наведенные пикосекундными световыми импульсами, и их использование
- Роль морфологии в формировании электронных спектров, оптических и электрофизических характеристик тонких пленок a-Si: Н, а-С: Н и а-Si1-x Cx : Н
- Особенности излучательной рекомбинации в p-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе
- Пороговые, спектральные и пространственные характеристики GaAs/AlGaAs лазеров с искривленными штрихами брегговской решетки обратной связи, обеспечивающей фокусировку выходного излучения
- Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
- Исследование диффузии цинка из полимерных диффузантов в полупроводники A3 B5
- Разработка физических основ применения ионно-стимулированных процессов для синтеза и модификации оптических материалов