Полупроводниковые слои и гетероструктуры на основе халькогенидов цинка, кадмия и бериллия, формируемые методом молекулярно-пучковой эпитаксии

Содержание
Содержание
Введение
Глава 1 Характеристика соединений А2В6 и твердых растворов на их основе литературный обзор.
1.1. Свойства и особенности полупроводников А В .
1.2. Твердые растворы соединений на основе
1.3. Исследования синезеленых лазеров на основе широкозонных соединений Л2В6. Основные причины деградации лазерных гетероструктур А2В6
1.4. Особенности оптических и структурных свойств дробно
монослойных гетероструктур .
Глава 2 Аппаратурные и методические особенности МПЭ широкозонных соединений А2В
2.1. Основные принципы и аппаратное обеспечение. .
2.2. Методы i i диагностики при МПЗ. ..
2.3. Особенности контроля температуры при МПЭ
2.4. Методы x i сгрукзурной, оптической и электрической характеризации эпитаксиальных слоев и гетероструктур.
2.5. Особенности гстсроэпитаксии широкозонных соединений Л2В6 на
подложках .
Глава 3 Математическое моделирование МПЭ соединений А2В6 и
твердых растворов на их основе.
3.1 Кинетические модели молекулярнопучковой эпитаксии и их ограничения
3.2. Термодинамическая модель молекулярнопучковой эпитаксии и ее применение к МПЭ халькогенидов подгруппы цинка.
3.3. Анализ процессов МПЭ твердых растворов . при использовании сульфида цинка в качестве источника серы.
3.4. Особенности молекулярнопучковой эпитаксии твердых растворов xi.xi.
3.5. Расчет областей нестабильности и несмешиваемости в системе
твердых растворов МП1.ху8е.у
3.6 Переменнонапряженные многослойные гетероструктуры сине
зеленых лазеров на основе 2пЯе.
Глава 4. Гетероструктуры Ссе2п8е с дробномонослойнмми вставками.
4.1. Метод эпитаксии с повышенной миграцией атомов.
4.2. Калибровка номинальной толщины в Се7,п8е ДМС структурах
4.3. Температурная зависимость удельной толщины субмонослойных покрытий.
4.4. Особенности ЭПМ СбБепЯе ДМС структур
4.5. Индуцированное дефектами формирование островков в
наноструктурах Ссс7п8с
Глава 5. Новый материал для активной области приборов сине
зеленого диапазона ВеСсе.
5.1. Анализ термодинамических свойств халькогенидов бериллия.
5.2. Особенности молекулярнопучковой эпитаксии твердых растворов ВеСсЮе.
5.3. Анализ зависимости ширины запрещенной зоны от состава в системе ВеСсе
5.4. Структуры лазеров для оптической накачки и светоизлучающих
диодов с ВеСсе активной областью
Заключение.
Цитируемая литература
Работы, вошедшие в диссертацию.
Приложение. Расчет уровней размерного квантования в Хп8е7п1.хМх8у8е1.у квантовых ямах
ВВЕДЕНИЕ.
АКТУАЛЬНОСТЬ