- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Долгоживущая спиновая поляризация в наноструктурах с квантовыми ямами и квантовыми точками
- Газовые сенсоры на основе пленок SnO(2-x) для \"Электронного носа\"
- Фазовые переходы в комплексных фторидных соединениях сурьмы
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
- Транспортные свойства углеродных наноструктур на основе графита и многостенных нанотрубок
- Влияние разогрева электронно-дырочной плазмы на электрические свойства германия
- Оптические исследования точечных дефектов в ионно-имплантированном GaAs и GaAs, полученном низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксией
- Взаимная диффузия в GexSi1-x/Si гетероструктурах, выращенных методом МЛЭ
- Моделирование и исследование бетавольтаического эффекта на кремниевых PIN структурах
- Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерных полупроводниковых системах