- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Высокоэффективные излучающие приборы на основе гетероструктур AlGaInN
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2007
Артикул:
7274 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещенной зоной
- Рекомбинационные процессы в однослойных массивах InAs/GaAs квантовых точек
- Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
- Исследование гетероструктур в системе In-Ga-As-P и разработка на их основе перестраиваемого одномодового гетеролазера и мощного суперлюминесцентного диода
- Электрофизические и оптические свойства различных наноформ оксида олова
- Емкостная спектроскопия полупроводниковых твердых растворов и квантоворазмерных структур
- Особенности дефектной структуры полупроводниковых материалов, связанные с упругой анизотропией
- Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем
- Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
- Исследование зонной структуры легированного антимонида галлия