СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ВОЗДЕЙСТВИЕ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ НА ЭЛЕМЕНТЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
1.1 Воздействие СВЧ излучения на элементы полупроводниковой электроники
1.2 Физические основы нарушения работоспособности изделий электронной техники при воздействии импульсных микроволновых
1.2. Модели воздействия ИМП
1.2.1 Первичные эффекты
1.2.2 Вторичные эффекты. Вторичный тепловой пробой
1.2.3 Электрическое защелкивание в ИМС
1.2.4 Доминирующие механизмы отказа в полупроводниковых структурах при воздействии ИМП
1.3 Сверхкороткие импульсы электромагнитного излучения
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1 Лабораторный измерительный стенд с широкополосной коаксиальной нагрузкой для изучения воздействия СКИ ЭМИ на полупроводниковые структуры
2.2 Исследуемые объекты и методики проводимых с ними экспериментов
ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СКИ ЭМИ НА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МДП СТРУКТУР
3.1 Влияние энергии СКИ ЭМИ на ВФХ МДП структур
3.2 Перестройка ВФХ МДП структур при изменении частоты следования СКИ ЭМИ
3.3 Влияние СКИ ЭМИ на емкостные свойства МДМ и р структур
3.4 Физические модели перестройки ВФХ МДП структур под воздействием СКИ ЭМИ
3.4.1 Поляризационный характер изменения емкости МДП структуры
в режиме обогащения основными носителями при воздействии СКИ ЭМИ
3.4.2 Моделирование перестройки плотности поверхностных состояний под действием СКИ ЭМИ
3.5 Проявление процессов перестройки параметров МДП структур под действием СКИ ЭМИ в полевых транзисторах
ГЛАВА 4. ПЕРЕСТРОЙКА ПОДВИЖНЫХ ДЕФЕКТОВ И ИЗМЕНЕНИЯ В ПОЛЯРИЗАЦИИ ДИЭЛЕКТРИКА ПОД ДЕЙСТВИЕМ СКИ ЭМИ НА ПРИМЕРЕ КРИСТАЛЛОВ ТГС
4.1 Рост поляризации кристалла ТГС под действием СКИ ЭМИ
4.2 Релаксационные процессы в доменной структуре ТГС после снятия воздействия СКИ ЭМИ
4.3 Механизмы изменения свойств кристаллов ТГС при воздействии СКИ ЭМИ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ И ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922