Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КОНТ УСТНЫХ СТРУКТУРАХ ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Фотоэффект при поглощении света свободными носителями. И
1.2. Внутренняя фотоэмиссия в электроннодырочных переходах.
1.3. Фотоактивность диодов Шот тки.
1.4. Спектральная зависимость квантовой эффективности диодов Шоттки.
1.5. Диоды Шоттки силицид кремниякремний.
1.6. Обратные ВАХ диодов Шоттки.
1.7. Место приемников на горячих носителях в контактных структурах среди других приемников И К излучения.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ФОТООТВЕТА ПОЛ У ПРОВОДНИКО ВЫХ КОНТАКТНЫХ СГРУКТУР
2.1. Экспериментальная измерительная установка.
ГЛАВА 3. ФОТОАКТИВНОСТЬ СПЛАВНЫХ ПЕРЕХОДОВ
3.1. Фотоактивность сплавных рп переходов на основе герма ния.
3.2. Оптимизация рабочих параметров структур .
3.3. Внутренняя фотоинжекция горячих носителей в транзисто рах.
3.4. Фототоинжекция в рп переходах на основе соединений груп пы V.
3.5. Фотокатод для ИК области.
3.6 Основные результаты.
ГЛАВА 4. ФОТОАКТИВНОСГЬ ДИОДОВ ШОТТКИ ii
4.1. Фотоэлектрические характеристики контактов Шоттки с низкими барьерами.
4.2. Изготовление диодов Шоттки на кремнии и контроль их структуры. 8
4.3. Усиление обратных токов на контактах с низкими барьерами
4.4. Основные результаты.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ Ш
ЛИТЕРАТУРА