Диэлектрические потери в щелочно-галоидных кристаллах с дислокациями в килогерцевом диапазоне

Оглавление стр.
Введение
Актуальность работы . . б
Научная новизна
На защиту выносятся .
I. Дефекты кристаллической структуры и их взаимодействие в щелочногалоидных кристаллах .
1.1. Точечные дефекты
1.1.1. Дефекты по Шоттки и Френкелю в щелочногалоидных кристаллах
1.1.2. Ионная проводимость ЩГК .
1.1.3. Комплексы анионная вакансия катионная вакансия .
1.1.4. Комплексы двухвалентная катионная примесь катионная вакансия . . . . . 1А
1.1.5. Ассоциаты дипольных комплексов .
1.2. Дислокации и их взаимодействие с точечными дефектами
1.2.1. Дислокации в щелочногалоидных кристаллах .
1.2.2. Подвижность дислокаций .
1.2.3. Локальные барьеры для движения дислокаций .
1.2.А. Взаимодействие дислокаций с дипольными комплексами
1.3. Методы исследования дефектов кристаллической решетки щелочногалоидных кристаллов ЗА
1.3.1. Метод диэлектрических потерь
1.3.2. Методы исследования точечных дефектов . .
1.3.3. Методы исследования дислокаций .
1.А. Постановка задачи и обоснование методики исследования АО
2.1.
2.1.
2.2.
2.2.
2.2.
2.3.
2.3. Ш.
3.2.
3.4.
Диэлектрические потери при пластической деформации
в ЩГК .
Диэлектрические потери в процессе активного нагружения образца .
1. Экспериментальная установка
2. Кинетические кривые при активном нагружении
образца .
Диэлектрические потери в процессе релаксации напряжений
1. Методика выполнения работы
2. Кинетические и частотные кривые в процессе релаксации напряжений
3. Безактивзционное разрезание тримеров .
4. Анализ движения дислокаций на фазовой плоскости
5. Анализ изменения 2 при активном нагружении кристалла
Диэлектрические потери в ЩГК при учете однородного упругого поля напряжений
1. Расчет и у в приближении однородного упругого поля напряжений
2. Выводы к главе П
Диэлектрические потери в ЩГК при деформации их
сосредоточенной нагрузкой .
Дислокационные розетки в щелочногалоидных крис
ТЗЛЛЭХ
Экспериментальная часть
Кинетические кривые после локального нагружения
Частотная зависимость изменения диэлектрических потерь при различном числе введенных дислокаций .
3.5. Диэлектрические потери при постоянном числе вводимых дислокаций.
IV. Диэлектрические потери в щелочногалоидных кристаллах с дислокациями
4.1. Постановка задачи
4.2. Кинетические уравнения и их решение . . . .
4.3. Диэлектрические потери в кристалле с винтовой дислокацией . . . . , . . .
4.4. Диэлектрические потери в кристалле с заданной плотностью дислокаций
4.5. Изменение корреляционного множителя при пластической деформации кристаллов
V. Агрегация диполей в щелочногалоидных кристаллах в
переменных полях .
5.1. Экспериментальная установка и методика приготовления образцов
5.2. Частотная зависимость изменения диэлектрических по
терь при предварительной выдержке образцов в пере менном электрическом поле к
5.3. Кинетические кривые изменения при выдержке в
переменном электрическом поле . . . .
ВЫВОДЫ
Приложение
Литература