- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Тип роботи:
самоформирование, свойства и применение в оптоэле
Рік:
2006
Артикул:
7344 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов
- Исследование нанокомпозитных металлополимерных слоев, синтезированных высокодозной имплантацией ионов 3d-элементов
- Влияние субмонослойных металлических пленок на работу выхода полупроводниковых материалов
- Создание и исследование твердых растворов GaInAsSb и оптоэлектронных приборов на их основе
- Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
- Исследование особенностей взаимодействия электромагнитных полей с полупроводниковыми приборами в схемах СВЧ
- Влияние водорода на электрофизические свойства германия в системе полупроводник-электролит
- Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка
- Модифицирование дефектной структуры полупроводников низкоэнергетическими воздействиями
- Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах