- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Тип роботи:
самоформирование, свойства и применение в оптоэле
Рік:
2006
Артикул:
7344 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Оптические свойства полупроводниковых соединений ZnIn2S4, CdGa2S4 и CdGa2Se4
- Фотостимулированные процессы на поверхностных дефектах широкозонных полупроводников
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства низкоразмерных гетероструктур на основе узкозонных соединений A3B5
- Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Моделирование низкоинтенсивного радиационного воздействия на зарядовые свойства кремниевых МОП-структур
- Оптические свойства и спектр локальных уровней твердых растворов TlGaS2-TlGaSe2
- Анализ газочувствительных наноструктур с варьируемым типом и концентрацией адсорбционных центров
- Особенности электрофизических свойств твердотельных структур при воздействии наносекундных импульсов электромагнитного излучения
- Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок