- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Тип роботи:
самоформирование, свойства и применение в оптоэле
Рік:
2006
Артикул:
7344 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Халькогениды элементов четвертой группы : Получение, исследование и применение
- Выращивание и исследование InAsSbP квантовых точек и созданных на их основе фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона
- Физические принципы увеличения мощности излучения инжекционных лазеров
- Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Поведение примеси марганца в некоторых полупроводниковых соединениях типа А3В5
- Методы формирования трёхмерных микро- и наноструктур на основе напряжённых SiGe/Si плёнок
- Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксильном GaAs
- Применение модели потенциала нулевого радиуса к теории фотоионизации глубоких примесных центров в полупроводниках
- Оптическая неоднородность кристаллов лангасита
- Изовалентное легирование : Управление электронными свойствами слоев GaAs и GaSb путем воздействия на систему примесей, точечных дефектов и наноразмерных кластеров