- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Тип роботи:
самоформирование, свойства и применение в оптоэле
Рік:
2006
Артикул:
7344 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии
- Структура и оптические свойства тонкопленочных полупроводниковых соединений на основе кремния, синтезированных импульсными энергетическими воздействиями
- Исследование излучательной рекомбинации в широкозонных гетероструктурах в системе InGaAsP
- Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
- Формирование и свойства полупроводниковых пленок и структур для приемников УФ излучения
- Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении
- Механическое двойникование и его влияние на электрические свойства висмута и его сплавов
- Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
- Влияние физико-химической модификации покровного слоя на морфологию и фотоэлектронные спектры квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией
- Электронная микроскопия имплантированных структур на основе карбида кремния