- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
Тип роботи:
самоформирование, свойства и применение в оптоэле
Рік:
2006
Артикул:
7344 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Трехканальный детектор на основе РОС гетеролазеров InGaAs для мониторинга
- Локализация и баллистический транспорт носителей тока в кремниевых наноструктурах
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Спин-зависимые магнитооптические и фотогальванические явления в гетероструктурах на основе InAs
- Влияние внешних воздействий на структуру и некоторые физические свойства фосфида галлия и кремния
- Низкоразмерные плазменные возбуждения в полупроводниковых туннельных структурах
- Создание варизонных Ga1-xAlxSb фотоэлектрических Р-П-структур и фотопреобразователей
- Процессы намагничивания, спинового транспорта и спиновой динамики в наноразмерных планарных структурах с ферромагнитными слоями
- Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
- Переход металл-изолятор в пленочных структурах на основе оксидов переходных металлов