- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7290 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Метастабильность состояния в легированных бором и фосфором пленках a-Si:H, возникающие под влиянием внешних воздействий
- Некоторые особенности взаимодействия электронов и фононов в сплавах на основе висмута при низких температурах
- Резонансное и брэгговское рассеяние быстрых электронов от совершенных поверхностей InAs и GaAs в дифракции на отражение
- Светоизлучающие приборы на основе квантовых точек InGaN: технология эпитаксиального выращивания и исследование свойств
- Свойства 3d-примесей в широкозонных алмазоподобных полупроводниках на примере железа в фосфиде галлия
- Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах
- Развитие рентгеновской дифрактометрии и рефлектометрии высокого разрешения для исследования многослойных гетероструктур
- Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия
- Влияние условий роста на структуру и свойства эпитаксиальных слоев (SiC)1-x (AlN) x