- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7290 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (?10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Тонкая структура нульмерных экситонов
- Фотоплеохроизм алмазоподобных полупроводников и поляриметрические структуры на их основе
- Влияние флуктуаций состава на электронные свойства твердых растворов полупроводников
- Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
- Механизмы релаксации электронов и фононов при переносе заряда и тепла в твёрдых растворах на основе висмута
- Влияние гетеровалентного легирования на электрофизические свойства Sn0,63 Pb0,32 Ge0,05 Te и самокомпенсацию примесей в PbSe
- Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона
- Исследование электронных локальных центров в цинкосульфидных кристаллофосфорах электрофотографическим методом
- Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP : МОС-гидридная эпитаксия, свойства и применения в оптоэлектронных приборах