Ви є тут

Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs

Автор: 

Блохин Сергей Анатольевич

Тип роботи: 

Дис. канд. физ.-мат. наук

Рік: 

2006

Артикул:

7290

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия
• Рост и дефектообразование монокристаллов полупроводникового карбида кремния, выращенного по методу ЛЭТИ
• Разработка физических основ создания градиентных стеклообразных диэлектриков
• Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных пл#нок
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80 Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе
• Исследование электрических и оптических свойств ZnSe, ионно-легированного In+ и As+ и излучающих структур на его основе
• Автоколебания и релаксации фототока в кремнии, легированном селеном
• Фотомодуляционная спектроскопия полупроводниковых структур на A iiiB v
• Радиационная модификация свойств узкозонных полупроводников КРТ и структур на его основе для фотоприемников ИК диапазона