- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7290 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Применение модели U-минус-центров к объяснению транспортных свойств нормальной фазы халькогенидных стеклообразных полупроводников и высокотемпературных сверхпроводников
- Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
- Минизонный электронный спектр и транспорт горячих электронов в естественной сверхрешетке политипов карбида кремния
- Фотолюминесцентные свойства ионов эрбия в слоях твердых растворов кремний-германия и в структурах с кремниевыми нанокристаллами
- Структурно-компенсационный фактор радиационной стойкости высокоглиноземистых керамических диэлектриков
- Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
- Структура и проводимость тонких пленок жидкого диэлектрика на поверхности твердого тела
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота
- Целочисленный квантовый эффект Холла и циклотронный резонанс в двумерном электронном газе с разъединенными уровнями Ландау
- Радиационно-стимулированные и короноэлектретные изменения структуры и свойств феррогранатовых гетерокомпозиций