- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2006
Артикул:
7290 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Взаимодействие упругой, спиновой и магнитной подсистем в борате железа
- Структурные изменения в поликристаллических термоэлектрических твердых растворах халькогенидов Bi и Sb в зависимости от условиях их получения и обработки
- Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе
- Электрический пробой диэлектриков и полупроводников, индуцированный плотными электронными пучками наносекундной длительности
- Регулирование свойств керамических материалов на основе оксидных соединений с перовскитовой и шпинелевой структурой введением малых добавок
- Дырочные состояния в кубических полупроводниках и в низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах
- Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
- Перенос заряда в системе квантовых точек германия в кремнии