- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
167
Артикул:
179984 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические и фотоэлектрические свойства полупроводниковых сплавов n-Bi1-xSbx
- Полупроводниковые перестраиваемые лазеры среднего и дальнего ИК диапазона
- Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
- Электрофизические свойства твердых растворов на основе PbTe: Tl и SnTe: In при изовалентном замещении атомов в подрешетке халькогена
- Стимулированная рекомбинация в полупроводниковых лазерах ближнего ИК-диапазона при высоких уровнях токовой накачки
- К теории связанных состояний дырок в алмазоподобных и гексагональных полупроводниках
- Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников
- Оптические свойства квантовых нитей CdSe/Al2 O3 и квантовых точек CdSe/ZnSe
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2#S4 и ZnAl2#S4
- Электронно-энергетическое строение и субструктура нанослоев SnOx