- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1984
Кількість сторінок:
167
Артикул:
179984 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Генерационно-рекомбинационные эффекты горячих носителей заряда в компенсированных полупроводниках
- Развитие метода эффективной массы для III-U полупроводниковых гетероструктур
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация
- Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
- Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии и изоляторе в области сверхвысоких частот
- Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex
- Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
- Эффект позиционного беспорядка и примесное поглощение света в полупроводниковых структурах с квантовыми ямами и точками
- Исследование термодинамических свойств и закономерностей формирования структуры некристаллических полупроводников
- Эпитаксиальные фоточувствительные структуры на основе теллуридов свинца-олова