Свойства гетероструктур карбида кремния на кремнии, полученных методом эндотаксии, для создания чувствительных элементов бифункциональных датчиков температура-деформация

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ИЗУЧЕНИЕ ПРОЦЕССОВ РОСТА И ЛЕГИРОВАНИЯ
ПРИ ФОРМИРОВАНИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ii
1.1 Способы получения гетероструктур кубического карбида кремния
на кремнии V методом эпи и эндотаксии
1.2 Моделирование процессов роста и легирования полупроводниковых гетероструктур карбида кремния на кремнии
1.2.1 Основные легирующие примеси кубического карбида кремния
1.2.2 Обзор основных моделей, описывающих процессы роста
и легирования полупроводниковых структур
1.2.3 Моделирование совместной диффузии ионизованных примесей
в полупроводниках с учетом внутреннего электрического поля
Выводы
ГЛАВА 2 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР 3i
2.1 Постановка задачи, выбор объектов и методов исследования
2.2 Диффузионная технология создания гетероструктур 3ii
с использованием твердофазного кремния и углерода
2.3 Морфологогеометрический и структурнофазовый анализ
2.3.1. Ионнолучевая технология исследования поверхностей и фазовый анализ структур 3 Сi i
2.3.2 Рентгеноструктурный анализ структур 3ii
2.3.3 Электронографические исследования пленок 3ii
2.3.4 Морфология поверхности гетероструктур 3ii
2.3.5 Исследование структур ЗСii методом отражательной ИКФурье спектроскопии
2.3.6 Эллипсометрия пленок 3ii
2.3.7 Исследование распределения примеси в гетероструктурах 3ii методом Ожеэлектронной спектроскопии
2.4 Анализ электрофизических свойств
Выводы
ГЛАВА 3 МОДЕЛИРОВАНИЕ ОДНОВРЕМЕННОЙ ДИФФУЗИИ СОБСТВЕННОЙ И ПОСТОРОННИХ ПРИМЕСЕЙ ДЛЯ ТЕОРЕТИЧЕСКОГО ИССЛЕДОВАНИЯ ТЕХНОЛОГИИ ГЕТЕРОЭНДОТАКСИИ 3ii
3.1 Система диффузионных уравнений описывающих задачу
3.2 Математические преобразования системы уравнений для численного моделирования одновременной диффузии взаимодействующих примесей
в полупроводниковой структуре ii
3.3 Анализ полученных результатов
3.4 Сопоставление результатов экспериментальных исследований
с теоретической моделью
Выводы
ГЛАВА 4 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ НА ОСНОВЕ
ГЕТЕРОСТРУКТУР 3ii
4.1 Методика изготовления образцов
4.2 Термометрические и тензометричсские характеристики чувствительных элементов на основе гетероструктур ЗСii
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ