Ви є тут

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Автор: 

Емельянова Татьяна Геннадьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197549

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование магнитотранспорта на гетерогранице II типа в системе GaInAsSb/InAs(GaSb)
• Диффузия примесей в поверхностных слоях полупроводников вблизи твердофазной границы раздела
• Электронное упорядочение и фазовые переходы в кристаллах с узкими зонами проводимости
• Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
• Фотоэлектрические свойства чистых сколотых поверхностей кремния, германия и фосфида галлия
• Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.
• Стеклообразование и электропроводность в халькогенидных системах
• Оптические и фотоэлектрические свойства микрокристаллического гидрированного кремния
• Оптические исследования тонких пленок молекулярных органических полупроводников фталоцианинового ряда
• Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда