Ви є тут

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Автор: 

Емельянова Татьяна Геннадьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197549

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Магнитооптика квазиодномерных и квазинульмерных полупроводниковых структур с примесными центрами
• Транспортные процессы в полупроводниках с участием линейных и объемных дефектов
• Изотопические эффекты в спиновом резонансе электронов с различной степенью локализации в кремнии
• Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
• Создание газовых сенсоров на основе тонких пленок диоксида олова
• Электрические и фотоэлектрические характеристики и свойства кремниевых МДП-структур с диэлектрическими слоями из оксидов иттрия, гадолиния и европия
• Поверхностные упругие, магнитостатические и магнитоупругие волновые процессы в неоднородных твердых телах
• Исследование процессов разогрева и ударного размножения носителей заряда, возбуждаемых ИК излучением в полупроводниковых контактных структурах
• Оптическая ориентация и люминисценция в легированных полупроводниках
• Динамика рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах пористого кремния