Ви є тут

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Автор: 

Емельянова Татьяна Геннадьевна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000197549

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
• Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
• Энергетический спектр носителей заряда в узкощелевых полупроводниках и полуметаллах. Часть 2
• Исследование границы раздела и приповерхностных слоев полупроводника в системах электролит-полупроводник с помощью емкостных методов
• Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InР легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (?=1.6-1.85 мкм
• Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
• Исследование электрофизических и оптических характеристик кремниевых МОП структур с туннельно-тонким диэлектриком
• Електронна поляризовність одновісно навантажених кристалів K2Zn4Cl4 з несумірною фазою
• Особенности электронно-энергетического строения наноразмерных структур на основе кремния и фосфидов типа А3В5