Вы здесь

Эволюция фотолюминесценции пористого кремния при непрерывном лазерном облучении

Автор: 

Емельянова Татьяна Геннадьевна

Тип работы: 

Кандидатская

Год: 

1998

Артикул:

1000197549

179 грн

Добавить в корзину

• 
• 
• 

Рекомендуемые диссертации

• Перестраиваемые одномерные фотонные кристаллы на основе щелевого кремния и жидкокристаллического наполнителя
• Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
• Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si
• Дефектная структура распадающихся полупроводниковых твердых растворов
• Взаимодействие экситонов и носителей заряда в электрическом поле поверхностной акустической волны в GaAs/AlAs сверхрешетках второго рода
• Исследование динамики решетки низкоразмерных реальных структур на основе GaAs/ALAs методом численного эксперимента
• Спин-зависимые и нелинейно-оптические явления при внутризонном поглощении в полупроводниковых структурах
• Экситонные и плазмонные эффекты в неидеальных вюрцитных полупроводниковых кристаллах и наноструктурах
• Фазовые равновесия и свойства полупроводниковых сплавов в системе кадмий- индий- теллур
• Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах