- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
197
Артикул:
181658 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Реальная структура мозаичных кристаллов в системе Ge-Si и условия ее возникновения
- Исследование зарядопереноса в структурах металл-анодный окисел металла-полупроводник
- Коллективные явления в суперионных проводниках
- Ионные дрейфово-диффузионные процессы в диэлектрических слоях МДП-структур
- Кинетические явления в узкощелевых полупроводниках
- Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме
- Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров на основе тонких пленок SnO2
- Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
- Излучательный и безызлучательный распад электронных возбуждений в кристаллах галогенидов цезия