- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
1983
Кількість сторінок:
197
Артикул:
181658 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Получение гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия и исследование их электрофизических свойств
- Новые аллотропные формы кремния
- Электромагнитные эффекты в радиодиапазоне, связанные с динамикой радиационных дефектов в диэлектриках
- Насыщение усиления и нелинейные эффекты в полупроводниковых лазерах с периодическими оптическими неоднородностями
- Моделирование и экспериментальное исследование преципитации кислорода в кремнии
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
- Электрофизические процессы в диспергированных электрографических слоях на основе окиси-двуокиси (Рb3О4) и полифазной моноокиси (РbОn) свинца
- Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А