Ви є тут

Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия

Автор: 
Бланк Татьяна Владимировна
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2000
Кількість сторінок: 
109
Артикул:
1000312106
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание.
Введение. Общая характеристика работы
Список обозначений
Глава 1. Фотоэлектрические свойства поверхностнобарьерных структур литературный обзор
1.1. Историческая справка
1.2. Энергетическая диаграмма поверхностнобарьерных структур
1.3. Технология изготовления поверхностнобарьерных структур.
1.4. Протекание тока в поверхностнобарьерных структурах.
1.5. Фотоэффект при энергиях фотонов, меньших ширины запрещенной зоны полупроводника.
1.6. Фотоэффект при энергиях фотонов, близких и больших ширины запрещенной зоны полупроводника
1.7. Фотоэффект при энергиях фотонов, существенно больших ширины запрещенной зоны полупроводника
Глава 2. Объекты исследований и экспериментальные методики
2.1. Технология изготовления повсрхноспюбарьерных структур на основе СаАч и ваР и рпструктур на основе 5 и СаАд.
2.2. Исследования спектральной зависимости квантовой эффективности фотоэлектролреобразования
2.3. Исследования квантовой эффективности фотоэлектропреобразо8ания в широком температурном диапазоне
2.4. Исследования квантовой эффективности фотоэлектропреобразования в зависимости от электрического поля в слое объемного заряда.
Глава 3. Температурная зависимость квантовой эффективности
фотоэлектропреобразования поверхностнобарьерных структур
3.1. Поверхностнобарьерные структуры на основе ваР и ваАя
3.2. Рпструктуры на основе 5 и СаАв
Глава 4. Зависимость квантовой эффективности фотоэлектропреобразования поверхностнобарьерных структур от электрического поля.
4.1. Поверхностнобарьерные структуры на основе СаР и ваАэ
Глава 5. Механизм протекание фототока в поверхностнобарьерных структурах
Заключение.
Список рисунков.
Список публикаций по теме диссертации
Список литературы