ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1 .ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ В АРСЕН ИДЕ ГАЛЛИЯ литературный обзор.
1.1. Полупроводниковые детекторы ядерного излучения
1.1.1. Характеристика ОаА.ч как материала
для производства ППД
1.1.2. Ароеиид галлиевые полупроводниковые детекторы
1.1.2.1. ППД на основе обьемного СаАв
1.1.2.2. ППД на основе эпитаксиального СаАБ
1.1.2.3. Радиационная стойкость ППД на основе САб
1.2. Радиационные эффекты в арсснидс галлия
1.2.1. Электрофизические свойства
1.2.2. Спектр уровней радиационных дефектов
1.2.3. Время жизни носителей заряда
1.2.4. Взаимодействие радиационных дефектов
и химических примесей
1.2.5. Влияние температуры облучения и положения уровня квазиуровня Ферми на эффективность компенсации
и спектр радиационных дефектов
1.2.6. Термическая устойчивость радиационных дефектов
Выводы
2. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, ОБЛУЧЕННОГО ЭЛЕКТРОНАМИ, ПРОТОНАМИ И БЫСТРЫМИ НЕЙТРОНАМИ
2.1 Методика эксперимента
2.2. Электронное облучение
2.2.1. Электрофизические свойства
2.2.2. Отжиг радиационных дефектов
2.3. Протонное облучение
2.3.1. Электрофизические свойства
2.3.2. Электронное переключение в СаАв.
облученном протонами
2.3.3. Изохронный отжиг ОаАв. облученного протонами
2.3.4. Полуизолирующий ОаАз Сг, облученный
ионами НЕ5МэВ
2.4. Облучение быстрыми нейтронами
Выводы
32. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДЕТЕКТОРЫ ЯДЕРНЫХ ИЗЛУЧЕНИЙ 1А ОСНОВЕ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ, КОМПЕНСИРОВАННОГО Сг
3.1 Методика эксперимента
3.2 Параметры ППД на основе СаАзСг
3.2.1. Шумовые характеристики ППД
3.2.2. Энергетическое разрешение ППД.
3.2.3. Эффективность сбора заряда
3.3. Радиационная стойкость структур ОаАзСг
3.4. Восстановление параметров облученных ППД ОаАзСг
при изохроппом отжиге
3.5. Испытания структур на пучке
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922