Ви є тут

Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов

Автор: 

Лакалин Александр Вячеславович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217630

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электрические, магнитооптические и магнитоакустические эффекты в магнитном полупроводнике ?-Fe2 O3
• Электрофизические характеристики и структурно-фазовый состав наноразмерных структур в системе Ga2Se3/GaAs
• Электронные и оптические свойства нерегулярных сверхрешеток на основе полупроводниковых соединений групп A3B5 и A2B6
• Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La_1-x Sr_x MnO_3 (X=0,175)
• Горячий фотоэффект в поверхностно-барьерных структурах на основе арсенида и фосфида галлия
• Влияние гофрировки гетерограниц на оптические свойства GaAs/AlAs сверхрешёток, выращенных на поверхностях с ориентацией (311)А и (311)В
• Дефектно-примесная структура монокристаллов теллурида цинка и создание излучающих диодов на их основе
• Оптические и магнитооптические свойства халькогенидов галлия, индия и германия
• Исследование физических процессов в Р-П-Р-П структурах при комбинированных импульсных воздействиях
• Исследование квадрупольных эффектов в спектрах ЯМР 63Cu, 115In, 69Ga полупроводниковых соединений со структурой халькопирита