Ви є тут

Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов

Автор: 

Лакалин Александр Вячеславович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1999

Артикул:

1000217630

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Самоупорядоченные наноразмерные структуры на основе твердого раствора кремний-германий, полученные методом ионной имплантации
• Фотолюминесцентная спектроскопия полупроводниковых наноструктур с планарно-неоднородными слоями
• Физические свойства сложных кристаллов, обусловленные длиннопериодной структурой
• Наноразмерные структуры Si/SiO2 и сенсоры на их основе
• Магнитооптические свойства квазиодномерных структур с водородоподобными примесными центрами
• Электронная структура и спектроскопия полупроводниковых и кластерных систем углерода и кремния
• Ассоциаты точечных дефектов собственной и примесной природы в кристаллах ZnS, ZnSe, CdSe
• Ферромагнетизм при комнатной температуре полупроводников на основе кремния и диоксида титана
• Асимметричные гетероструктуры раздельного ограничения и мощные лазеры на их основе (λ=1.6-1.85 мкм
• Функциональные характеристики элементов энергонезависимой памяти на основе халькогенидных полупроводников