ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СОЕДИНЕНИЙ С КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРОЙ ХАЛЬКОПИРИТА.
1.1. Закономерности образования тройных полупроводниковых фаз
1.2. Тройные полупроводниковые алмазоподобные фазы.
1.3. Полупроводниковые соединения типа А,В,1,СУ
1.3.1 Химические свойства и полиморфизм в Сип.
1.3.2. Зонная структура халькопиритовых полупроводников
1.3.3. Электрические свойства халькопиритовых полупроводников
1.4. Точечные дефекты в полупроводниковых крис таллах
ГЛАВА И. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА
2.1. ЯМР квадрупольных ядер в твердых телах
2.1.1. Квадрупольное взаимодействие
2.1.2. Спектр ЯМР, смещенный квадрупольным взаимодействием.
2.2. Экспериментальная методика импульсной ЯМРспектроскопии.
ГЛАВА III. ИССЛЕДОВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИ X СОЕДИНЕНИЙ СЫпЯз МЕТОДАМИ
ЯМР Си И п
3.1. Введение
3.2. Спектры ЯМР Си в полупроводниковых нестехиометрических соединениях СЫпЬг катионная нестехиометрия.
3.3. Спектры ЯМР 1п в полупроводниковых нестехиометрических соединениях Си1пЬ2 катионная нестехиометрия
3.4. Спектры ЯМР Си и п в полупроводниковых нестехиометрических соединениях Сип анионная нестехиометрия.
Заключение к главе III.
ГЛАВА IV. ИССЛЕДОВАНИЕ СОЕДИНЕНИЙ СиОаТе2, ЛЕГИРОВАННЫХ МАРГАНЦЕМ,
МЕТОДАМИ ЯМР ыСи И 0а
4.1. Введение
4.2. Спектры ЯМР Си и а в полупроводниковом соединении
СиОаТе2
4.3. Спектры ЯМР 6зСи и г,9Са в соединениях СиСаТе2, легированных
Заключение к главе IV
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ.
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922