Ви є тут

Исследование состава самоорганизованных нанокластеров GexSi1-x/Si методом сканирующей оже-микроскопии

Автор: 
Николичев Дмитрий Евгеньевич
Тип роботи: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік: 
2009
Кількість сторінок: 
142
Артикул:
7186
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава. 1. Наноразмерные гетероструктуры. Рост, морфология, свойства Литературный обзор.
1.1. Самоорганизованные нанокластеры веБн полненные методом молекулярнолучевой эпитаксии
1.1.1. Технология формирования гетероструктур
1.1.2. Сегрегация и интердиффузия в СеБ1 гсгероструктурах
1.1.3. Гетероструктуры с однородными массивами СеБ1 кластеров
1.1.4. Зонная структура ОсБ1 наноостровков.
1.2. Диагностика состава полупроводниковых наноструктур
1.2.1. Просвечивающая электронная микроскопия
1.2.2. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия с нанозондом наноЭСХА
1.2.3. Статическая вторичноионная массспектроскопия
1.2.4. Ближнспольная сканирующая оптическая микроскопия
1.3. Методы исследования структурных, оптических и электрофизических свойств гетероструктур с нанокластерами веБ.
1.3.1. Рентгеновская дифракция и спектроскопия комбинационного рассеяния
1.3.2. Спектроскопия фотолюминесценции и фотоЭДС.
1.4. Выводы
Глава 2. Методика эксперимента.
2.1. Основы метода сканирующей ожемикроскопии.
2.1.1. Метод электронной ожемикроскопии.
2.1.2. Метод растровой электронной микроскопии.
2.1.3. Локальный элементный анализ методом сканирующей ожемикроскопии
2.2. Аппаратура для измерения
2.3. Выводы
Глава 3. Развитие методики сканирующей ожемикросконии в применении к исследованию наноструктур Сс8
3.1. Разрешение по энергии.
3.2. Пространственное разрешение.
3.3. Количественный анализ.
3.4. Послойный анализ структур с наноостровками
3.4.1. Юстировка ионного, электронного зондов и фокуса анализатора
3.4.2. Определение параметров ионного правления.
3.4.3. Изменение морфологии поверхности при ионном травлении
3.5. Выводы.
Глава 4. Состав самооргапизованных нано кластеров Се8
4.1. Параметры исследуемых структур.
4.1.1. Наноструктуры Ое88, полученные методом молекулярнолучевой эпитаксии.
4.1.2. Наноструктуры Ое88, полученные методом сублимационной молекулярнолучевой эпитаксии с газофазным источником германия .
4.2. Состав структур, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии.
4.3. Состав структур, выращенных методом сублимационной молекулярно лучевой эпитаксией с газофазным источником германия.
4.4. Подтверждение полученных результатов.
4.5. Выводы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТИ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ