Ви є тут

Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы

Автор: 

Мосин Юрий Викторович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211293

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Размерное квантование и туннелирование электронов в фотоэмиссии из p+-GaAs(Cs, O)
• Исследование тепловых процессов при автоэлектронной эмиссии из кремниевого острийного катода
• Инжекционные лазеры с квантовыми точками, работающие в непрерывном режиме : Выращивание методом молекулярно-пучковой эпитаксии и исследование свойств
• Излучательная рекомбинация дырок на уровнях размерного квантования в дельта- ?-легированном арсениде галлия
• Процессы рекомбинации и разогрева носителей заряда в наноструктурах с квантовыми ямами
• Асимметричные гетероструктуры со сверхтолстым волноводом и мощные полупроводниковые лазеры с малыми внутренними потерями на их основе
• Математическое моделирование и исследование характеристик многопереходных A3B5 фотоэлектрических преобразователей солнечного излучения
• Изучение фазообразования в скрытых проводящих слоях дисилицида кобальта в кремнии, полученных методом ионного твердотельного синтеза
• Влияние гофрировки гетерограниц на оптические свойства GaAs/AlAs сверхрешёток, выращенных на поверхностях с ориентацией (311)А и (311)В
• Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs