Ви є тут

Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы

Автор: 

Мосин Юрий Викторович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000211293

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Электронный транспорт в полупроводниковых наноструктурах, связанный с эффектом фотонного увлечения и диссипативным туннелированием
• Длинноволновые фоторезисторы на основе полупроводниковых ?-легированных сверхрешеток и ИК матрицы с большим временем накопления фотосигнала
• Исследование свойств и оптимизация гетероструктур на подложках GaAs и разработка мощных лазеров на их основе
• Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия
• Электронно-зондовые исследования слоев GaA3 и структур на их основе
• Свойства осаждённых из лазерной плазмы разбавленных магнитных полупроводников на основе GaSb, Si и Ge, легированных Mn или Fe
• Получение и свойства гетероструктур на основе многокомпонентных антимонидов А3 В5 с низкой термодинамической устойчивостью
• Эффекты спин-орбитального взаимодействия в двумерном электронном газе
• Диагностика квантовых ям в системе (In, Ga)As/GaAs методом стационарной емкостной спектроскопии
• Локализованные состояния и флуктуации в графене