- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
Тип роботи:
Дис. канд. физ.-мат. наук
Рік:
2005
Артикул:
7405 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Многокомпонентные твердые растворы на основе GaSb и InAs, полученные из растворов-расплавов, обогащенных сурьмой
- Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния
- Полупроводниковые наноструктуры CdSe/ZnSe, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии: самоформирование, свойства и применение в оптоэлектронике
- Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
- Преципитация бора в кремнии при имплантации и отжиге : расслоение на стадии Оствальдовского созревания
- Влияние глубоких центров на физические процессы в кремниевых барьерных структурах
- Фотоиндуцированные эффекты в аморфном кремнии и приборных структурах на его основе
- Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках
- Магнетотранспортные свойства непланарного двумерного электронного газа в модулированных полупроводниковых структурах
- Квантовые точки как активная среда оптоэлектронных приборов