Ви є тут

Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках

Автор: 

Ефремов Михаил Дмитриевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000208115

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Оптическая ориентация и люминисценция в легированных полупроводниках
• Электрические и фотоэлектрические свойства неидеальных гетеропереходов на основе кремния: GaAsSi, GaPSi, бета-SiCSi
• Многоволновая рентгеновская рефлектометрия для анализа многокомпонентных пространственно упорядоченных структур
• Моделирование электрических и оптических характеристик светоизлучающих диодов на основе многокомпонентных гетероструктур AlGaInN
• Исследования электронных процессов в полупроводниках с областями пространственногол заряда
• Генерационные характеристики лазеров с вертикальным резонатором на основе гетероструктур InGaAs-AlGaAs
• Структура и электрофизические свойства гетеропереходов n-SiC/p-(SiC)_1-x (AlN)_x
• Дефекты и проводимость ионно-имплантированного аморфного кремния
• Влияние объемных неоднородностей на параметры полупроводниковых структур
• Теория оптических и акустоэлектрических явлений, связанных с аномалиями в пространственной дисперсии, полевой и деформационной зависимостях диэлектрических откликов кристаллов