Ви є тут

Дефектообразование в напряженных структурах на кремнии при радиационно-термических обработках

Автор: 

Ефремов Михаил Дмитриевич

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000208115

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Газочувствительные полупроводниковые нанокомпозиты на основе диоксида олова, сформированные методами золь-гель технологии
• Туннельная спектроскопия двумерной электронной системы приповерхностного дельта-легированного слоя в GaAs
• Количественный рентгеноспектральный микроанализ оксидов и халькогенидов элементов II и IV групп
• Создание и исследование спонтанных источников света для средней ИК-области спектра на основе узкозонных полупроводников А3В5
• Фізичні властивості твердих розчинів із стехіометричними вакансіями на основі сульфіду та селеніду ртуті
• Исследование поперечного транспорта электронов в многобарьерных структурах с резонансным туннелированием носителей, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
• Релаксация неравновесного обеднения на поверхности кремния при сильных электрических полях
• Новые полупроводниковые материалы на основе соединений A3B5 для оптоэлектронных устройств на длины волн 3 - 5 мкм
• Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов (AgInTe/2)/x (2HgTe)/1-x
• Особенности распределения азота в азотосодержащих GaAs1-yNy и InxGa1-xAs1-yNy твердых растворах