Ви є тут

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами

Автор: 

Усикова Анна Александровна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005429596

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Коррелированные ядерные спиновые системы в антиферромагнетиках
• Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
• Влияние электрогидравлического удара на полупроводниковые и диэлектрические материалы и компоненты знакосинтезирующей электроники
• Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
• Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
• Получение и физические свойства новых полупроводниковых соединений Cu3Ga5S9 и Ag3Ga5S9