Ви є тут

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами

Автор: 

Усикова Анна Александровна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005429596

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
• Микролазеры на основе гетероструктур с InGaAs квантовыми точками с резонаторами, сформированными селективным окислением слоев AlGaAs
• Метод обработки результатов измерений температуры в процессах высокотемпературного синтеза
• Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров
• Фазы, стабилизированные подложкой, и процессы формирования границы раздела в гетероструктурах на основе переходного 3d-металла (Cr, Co) и кремния
• Механизмы токопереноса в поверхностно-допированных полупроводниковых газовых сенсорах
• Взаимодействие акустических волн и лазерных пучков с индуцированными решетками и доменными структурами в сегнетополупроводниковых кристаллах ниобата лития
• Атомно-молекулярные и электронные процессы на поверхности полупроводников, помещенных в диссоциированные газы
• Исследование скоплений компенсирующих центров в полупроводниках и их взаимодействия с точечными собственными дефектами
• Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si