Ви є тут

Формирование и оптические свойства наноструктур на основе IN-содержащих полупроводниковых соединений А3-В5 с выводящими излучение брэгговскими элементами

Автор: 

Усикова Анна Александровна

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2011

Артикул:

1005429596

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Синтез и ионно-лучевая модификация алмазоподобных углеродных пл#нок
• Пикосекундная суперлюминесценция и ее влияние на изменение прозрачности GaAs
• Электрофизические свойства кремниевых МДП-структур с оксидами гадолиния, иттербия, лютеция и самария в качестве диэлектрика
• Формирование низкоразмерного полупроводникового силицида магния и наногетероструктур на его основе
• Исследование фотоэлектрических процессов в спектрально-селективных фотоячейках на основе вертикально-интегрированных диодных структур
• Влияние структурных особенностей на физические свойства редкоземельных полупроводников на основе сульфида самария
• Исследование неизотермической электрической релаксации заряда в кристаллах природного алмаза
• Моделирование устойчивого роста поверхности в процессе молекулярно-пучковой эпитаксии соединений AIIIBV
• Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
• Фотоэлектрические свойства аморфного гидрированного кремния, легированного бором