ВВЕДЕНИЕ.
1 МОДЕЛЬ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТА МЕТАЛЛПОЛУПРОВОДНИК.
1.1 Физическая модель контакта металла с полупроводником
1.2 Роль поверхностных состояний. Реальные переходы металл полупроводник
1.3 Модель омического контакта металл полупроводник
1.4 Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов
1.4.1 Удельное переходное сопротивление омического контакта
1.4.2 Методы измерения удельного переходного сопротивления омических контактов
1.5 Анализ омических контактов к карбиду кремния.
Выводы к разделу 1.
2 ХАРАКТЕРИСТИКА ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ЗСС8Г И ЕЕ ВЛИЯНИЕ НА КОНТАКТНУЮ СИСТЕМУ МЕТАЛЛПОЛУПРОВОДНИК.
2.1 Диффузионная технология создания гетероэпитаксиальных структур ЗСЬЮ с использованием твердофазного кремния и углерода
2.2 Морфология поверхности гетероэпитаксиальных пленок ЗСС.
2.3 Рентгеноструктурный анализ гетероэпитаксиальных пленок ЗС8Ю.
2.4 Электронографические исследования гетероэпитаксиальных пленок ЗСвгСв.
2.5 Химический анализ состава гетероэпитаксиальных слоев ЗСЬ1С.
2.5.1 Методика проведения количественного анализа состава
2.5.2 Количественный анализ состава гетероэпитаксиальных пленок
ЗСвЮЛН.
2.6 Гетеропереходы в системе карбид кремния
2.6.1 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода п8Юр.
2.6.2 Расчет параметров энергетической диаграммы анизотипного гетероперехода рСп.
2.6.3 Электрофизические свойства гетеропереходов пСр.
Выводы к разделу 2
3 СТРУКТУРНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ СИСТЕМЫ КОНТАКТГЕТЕРОСТРУКТУРА ВС
3.1 Технологические операции формирования топологии контактных площадок к гетероструктурам ЬЮЫ
3.1.1 Магнетронное распыление.
3.1.2 Фотолитография по металлу.
3.2 Анализ контактных систем , 1, используемых для контактов к гетероструктурам ЬпЬЮрЬ
3.2.1 Влияние морфологии поверхности на поведение ВАХ.
Выводы к разделу 3
4 МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ КОНТАКТНЫХ СИСТЕМ 1, 1 К ВЫСР И АНАЛИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ.
4.1 Омические контакты к гетероструктурам рпБЮрБ.
4.1.1 Исследование зависимости удельного переходного сопротивления от различных параметров
4.1.2 Зависимость морфологии контакта от термообработки
4.1.3 Температурные ВАХ контактных систем 1, МрпСр.
4.2 Расчетностатистический метод измерения сопротивления омических контактов к С
4.3 Исследование стабильности свойств омических контактов к БЮ.
Выводы к разделу 4.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ
- Київ+380960830922