Ви є тут

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs

Автор: 

Самойлов Виктор Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

114

Артикул:

1000292194

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Исследование проводимости и магнитопроводимости легированного германия в области перехода металл-диэлектрик
• Энергетический спектр и механизмы релаксации носителей заряда в легированных кристаллах висмута, сурьмы и сплавов висмут-сурьма
• Напряженные квантово-размерные структуры и сверхрешетки в системе InGaAsP/InP
• Экспериментальные методы исследования характеристик гетероструктурных солнечных элементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения
• Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения
• Структура и поверхностная проводимость металлических и металл-фуллереновых систем на реконструированных поверхностях Si(111)
• Моделирование дисперсионного переноса в полупроводниках на основе уравнений с производными дробного порядка
• Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
• Исследования волн пространственного заряда в магнитном поле в высокоомных полупроводниках
• Получение и исследование пленок твердых растворов халькогенидных стеклообразных полупроводников (As2 S3)x . (As2 Se3 )1-x на рулонной основе для оптоэлектронных устройств записи информации