- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs
Тип роботи:
кандидатская
Рік:
2000
Кількість сторінок:
114
Артикул:
1000292194 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Электрические и газочувствительные характеристики полупроводниковых сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO3
- Формирование электрически активных центров в кремнии, имплантированном ионами газов средних (∼10 кэВ/а. е. м. ) и высоких (>1 МэВ/а. е. м. ) энергий, при отжигах до 1050°С.
- Магнитные и деформационные процессы в полупроводниковых структурах с магнитными слоями для микромеханических устройств
- Фотоинжекция водорода в твердых телах
- Исследование структурных и электрофизических характеристик пленок на основе ?-Si
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией оптоэлектронных гетероструктур на основе широкозонных соединений (AlGaIn)N
- Теория пороговых характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых точках
- Особенности формирования фазовых неоднородностей в гетероэпитаксиальных слоях InP и InGaAs
- Определение неоднородностей проводимости и фотопроводимости полупроводниковых пластин по взаимодействию с миллиметровыми и субмиллиметровыми волнами
- Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися наноостровками GeSi/Si