Ви є тут

Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в нелегированных и легированных сурьмой эпитаксиальных слоях GaAs

Автор: 

Самойлов Виктор Александрович

Тип роботи: 

кандидатская

Рік: 

2000

Кількість сторінок: 

114

Артикул:

1000292194

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Многофононные процессы в двухэлектронных примесных центрах и комплексах полупроводников
• Колебательные спектры сложных халькогенидных соединений
• Закономерности формирования и физические свойства структур металл-полупроводник и гетероструктур на основе широкозонных полупроводников
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO(2-x) для \"Электронного носа\"
• Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
• Электронные состояния в квантово-размерных и дефектных полупроводниковых структурах
• Модифікація оптико-спектральних властивостей кристалів солей Туттона та триметиламінтрихлоркадміду ізоморфними домішками та іонізуючим випромінюванням
• Влияние радиационных воздействий на электрофизические свойства МНОП структур
• Высокотемпературные светодиоды для среднего ИК-диапазона на основе узкозонных гетероструктур соединений A3B5
• Электронная структура границ раздела Cs/InGaN, Cs/GaN, Ba/GaN, Ba/AlGaN и формирование аккумуляционного слоя