Ви є тут

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Автор: 

Терентьев Александр Иванович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212430

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Оптические свойства полупроводников со структурой типа TlSe
• Оптические свойства гетероструктур InGaAsN на основе GaAs
• Магнитооптика квантовых проволок и сужений с D-- и D-2-центрами
• Нестационарные и нелинейные кинетические явления в баллистических квазиодномерных наноструктурах
• Исследования деформированного состояния полупроводниковых гетероструктур на основе соединений А3В5 с помощью электронного зонда
• Оптическая ориентация и люминисценция в легированных полупроводниках
• Исследование механизмов рекомбинации в CdxHg1-xTe
• Кинетические явления в узкощелевых полупроводниках
• Оптические свойства анизотропных кремниевых структур
• Влияние процессов фазообразования на фотоэлектрические свойства поликристаллических пленок селенида свинца