Ви є тут

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Автор: 

Терентьев Александр Иванович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212430

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Поляризация горячей фотолюминесценции в магнитном поле в кристаллах арсенида галлия
• Рекомбинационные процессы в области пространственного заряда p-n-переходов
• Моделирование и экспериментальные исследования долговременных изменений параметров кремниевых структур при ионизирующем воздействии
• Исследование влияния состояния границы раздела на электрические и фотоэлектрические свойства гетероперехода ZnTe-CdSe
• Исследование пленок нитрида галлия, выращенных методом хлоридгидридной газофазной эпитаксии
• Структура и электрофизические свойства кристаллов теллура и сплава Te80Si20, полученных при разных уровнях гравитации
• Оптические и электрические свойства полупроводниковых структур на основе молекулярных комплексов фталоцианинов, содержащих ионы лантанидов в качестве комплексообразователя
• Резонансное одно- и двухфотонное взаимодействие света с экситонами в квантовых точках CdSe/ZnS
• Теория электропроводности неупорядоченных поликристаллических полупроводников с межгранульными барьерами
• Создание элементов квантового аналога КМОП-транзистора