Ви є тут

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Автор: 

Терентьев Александр Иванович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212430

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Влияние атомарного водорода на свойства тонких эпитаксиальных слоев n-GaAs и структур на их основе
• Точечные дефекты и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных структур Cd x Hg1-x Te, выращенных методами парофазной и молекулярно-лучевой эпитаксии
• Морфологические свойства нано- и микроструктур, сформированных на подложках кристаллического и пористого кремния
• Лазерная спектроскопия неравновесных процессов в полупроводниковых квантовых нитях и точках
• Исследование одноэлектронных и двухэлектронных примесных центров в полупроводниках методом эмиссионной мессбауэровской спектроскопии
• Моделирование электронной структуры квантовых точек Ge B Si
• Диффузия, сегрегация и электрическая активация легирующих примесей в диффузионных и имплантационных слоях кремния
• Карбид кремниевый лавинно-пролетный диод
• Механизмы переноса заряда в приёмниках рентгеновского излучения на основе кремния
• Исследование акустоэлектрических явлений в структуре металл-диэлектрик-CdS-LiNbO/3