Ви є тут

Выращивание полуизолирующих кристаллов теллурида кадмия, легированного хлором, для детекторов ядерного излучения

Автор: 

Терентьев Александр Иванович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

1998

Артикул:

1000212430

179 грн

Додати в кошик

• 
• 
• 

Рекомендовані дисертації

• Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
• Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников
• Полупроводниковые InGaAsP/InP ( ? =1.5-1.6 мкм) лазеры с оптическими периодическими неоднородностями
• Низкотемпературная жидкофазная эпитаксия AIIIBV - наногетероструктур и оптоэлектронных приборов на их основе
• Исследование особенностей акустических, магнитных и электрических свойств магнитного полупроводника La0,825 Sr0,175 MnO3 вблизи структурных и магнитного фазовых переходов
• Исследование свойств светоизлучающих эпитаксиальных GaAs структур, содержащих ферромагнитные слои
• Особенности спин-орбитального взаимодействия в сложных гетероструктурах
• Исследование влияния дефектов решетки на свойства монокристаллов CdSiAs2
• НЕЛИНЕЙНАЯ ДИНАМИКА ШНУРОВ ТОКА И ФРОНТОВ ИОНИЗАЦИИ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРАХ КЛЮЧЕВОГО ТИПА
• Спиновые и кинетические явления в наноструктурах и графене