СОДЕРЖАНИЕ
Содержание.
Введение.
ГЛАВА 1 Карбид кремния материал для полупроводниковых
СВЧ приборов.
1.1 Краткий обзор истории и современного состояния
карбид кремниевой электроники.
1.2 Твердотельные источники СВЧ излучения.
1.3 Карбид кремния как перспективный материал для
мощных лавиннопролетных диодов.
1.4 Выводы и постановка задачи
Глава 2 Формирование и исследование омических контактов к
4НБС с дырочным типом проводимости.
2.1 Выбор металлизации и способа формирования омических контактов к 4НБС с дырочным типом проводимости
2.2 Формирование контактов
2.3 Структурные характеристики контактов
2.4 Электрические характеристики контактов
2.5 Выводы
Глава 3 Изготовление карбид кремниевых лавиннопролетных
диодов.
3.1 Обоснование выбора метода изготовления эпитаксиальной структуры.
3.2 Определение типа профиля легирования БС ЛПД
3.3 Определение политипа карбида кремния для изготовления ЛПД.
3.4 Определение и контроль профиля легирования эпитаксиальной структуры ЛПД.
3.5 Обоснование выбора конструкции диодного чипа
карбид кремниевого ЛПД
3.6 Изготовление карбид кремниевых лавиннопролетных диодов
3.7 Выводы
Глава 4 Электрические низкочастотные, импульсные и СВЧ
характеристики карбид кремниевых лавиннопролетных диодов
4.1 Низкочастотные электрические характеристики карбид кремниевых лавиннопролетных диодов.
4.2 Измерение импульсных электрических характеристик и определение насыщенной скорости дрейфа электронов в карбид кремниевых лавиннопролетных диодах.
4.3 Измерение СВЧ характеристик карбид кремниевых лавиннопролетных диодов
4.4 Выводы
Заключение
Приложение А Список принятых обозначений и констант.
Приложение В Список принятых сокращений.
Литература
- Київ+380960830922