Создание и исследование инжекционных лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей на основе РbS1-xSex

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. ПОЛУЧЕНИЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
.
1.1. Физические свойства
1.2. Методы получения лазерных структур и эпитаксиальных слоев полупроводников А
1.3. Использование метода горячей стенки для изготовления эпитаксиальных слоев xx. . .
2. КРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ СТРУКТУРА, СОСТАВ И ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ РЬ x x . ИЗГОТОВЛЕНИЕ ИНЕЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ.
2.1. Структура эпитаксиальных слоев.
2.2. Состав эпитаксиальных слоев x.x , .
2.3. Электрические свойства
2.4. Формирование лазерных структур методом горячей стенки.
3. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ ПОЛУПРОВОД
НИКОВ Р.xx .
3.1. Методика и техника эксперимента
3.2. Дисперсия показателя преломления РЬ
3.3. Поглощение на свободных носителях в слоях ,xx
4. ИССЛЕДОВАНИЕ ОСНОВНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ИНЖЕКЦИОННЫХ ЛАЗЕРОВ НА ОСНОВЕ 5.xx
4.1. Введение.
4.2. Методика и техника экспериментального исследования инжекционных лазеров
4.3. Характеристики инжекционных лазеров с различной структурой
4.4. Вольтамперные и вольтемкостные характеристики лазеров с контролируемым профилем концентрации носителей.
4.5. Оптическое ограничение в гомоструктурах с контролируемым профилем концентрации носителей.
4.6. Дальнее поле излучения
4.7. Мощность излучения и дифференциальная квантовая эффективность
4.8. Перестройка частоты излучения и спектры излучения Прр РЬБ5 ео структур.
4.9. Деградация инжекционных лазеров при температурных циклах.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА