- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324435 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Взаимозависимость оптических свойств, кристаллической структуры и состава кристаллов CdS(O)
- Влияние собственных дефектов на оптические свойства CdIn2S4 и CdGa2S4 и их ионно-лучевой синтез
- Аддитивная теория силового взаимодействия в атомно-силовой микроскопии и ее приложения в диагностике поверхностных микроструктур
- Фотоактивность полупроводниковых контактных структур в инфракрасной области спектра
- Формирование многослойных гетерофазных структур в имплантированном ионами кремнии
- Оптическая спектроскопия легированных хромом полупроводниковых шпинелей CdIn2+S4 и ZnAl2+S4
- Исследование физических процессов в многослойных полупроводниковых структурах, выключаемых током управления
- Акустооптическая брэгговская дифракция многокомпонентного оптического излучения
- Разработка физических основ исследования моноатомного слоя поверхности полупроводников ионами низких и гипертермальных энергий
- Влияние водородсодержащих газов на электрические характеристики МДП-структур и МДП-диодов