- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324435 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия
- Термоэлектрические свойства гетерофазных структур
- Формирование и свойства границ раздела фоточувствительных структур на основе пленок халькогенидов свинца
- Физико-химические процессы в расплаве на границах раздела фаз при направленной кристаллизации оксидных соединений
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур InxAlyGa1-x-yAs/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Молекулярно-пучковая эпитаксия с плазменной активацией азота слоев и гетероструктур в системе (Al,Ga)N с высоким содержанием Al для ультрафиолетовой оптоэлектроники
- Деградационные процессы и низкочастотный шум в полупроводниковых светоизлучающих структурах
- Гетеропереходы II типа на основе узкозонных полупроводников A3B5 : оптические и магнитотранспортные свойства
- Динамические процессы в полупроводниках с мелкими донорами в условиях примесного пробоя
- Электродинамика слоистых полупроводниковых структур для квантовых каскадных лазеров