- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324435 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Дислокационная структура монокристаллов карбида кремния в связи с условиями их роста
- Рекомбинационные процессы в структурах на основе твердого раствора InGaN
- Процессы атомной миграции и напряженно-деформированное состояние кристалла при локальном диффузионном легировании кремния (численное исследование)
- Электрические, фотоэлектрические и оптические свойства модифицированных пленок a-Si:H
- Молекулярно-пучковая эпитаксия и оптимизация метаморфных гетероструктур In_x Al_y Ga_1-x-y As/GaAs для применений в приборах микро- и оптоэлектроники
- Исследование эффекта спонтанного упорядочения примесных комплексов в арсениде галлия n-типа
- Влияние структурных особенностей на оптические и электрофизические свойства полупроводниковых и диэлектрических пленок
- Квазиклассическая динамика носителей заряда в сложных зонах полупроводников
- Электронные состояния на поверхности GaAs с адсорбированными слоями цезия и сурьмы
- Электрофизические свойства диэлектриков и полупроводников при фазовом переходе твердое-жидкое