- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2013
Артикул:
324435 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Влияние адсорбции молекул на электрофизические и магнитные свойства нанокомпозитов на основе пористого кремния
- Экспериментальное исследование и математическое моделирование кинетики образования и разрушения кластеров лития в германии
- Взаимосвязь транспортных, структурных и магнитных свойств слабодопированного магнитного полупроводника La1-xSrxMnO3(X=0,175)
- Исследование полупроводниковых наногетероструктур методами токовой релаксационной спектроскопии, атомно-силовой микроскопии и спектроскопии НЧ-шумов
- Морфология гетерограниц и транспорт дырок в сверхрешетках GaAs/AlAs(311)А
- Влияние неоднородности толщины диэлектрика на свойства туннельных МОП структур Al/(1-4 нм)SiO2/Si
- Взаимодействие вакуумного ультрафиолетового излучения с тонкими неорганическими пленками
- Образование деффектов в полупроводниковых соединениях Cd/x Hg/1-x Te под действием облучения
- Экситоны, связанные на изоэлектронных примесях в многодолинных полупроводниках с вырожденными зонами: азот и висмут в GaP
- Исследование влияния объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка, легированного марганцем