Ви є тут

Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества

Автор: 

Барановский Максим Владимирович

Тип роботи: 

Кандидатская

Рік: 

2013

Артикул:

324435

179 грн

Додати в кошик

Рекомендовані дисертації

• Магнетотранспортные явления в гетероструктурах GaAs/AIAs при больших факторах заполнения
• Влияние сильного электрического поля на электронные процессы в пленках g-As2Se3
• Газовые сенсоры на основе пленок SnO2-x для Электронного носа
• Термокондуктометрические и калометрические эффекты при распространении поверхностных акустических волн в пьезоэлектрических монокристаллах
• Взаимодействие экситонов с оптическими фононами и шероховатостями границ раздела в квантовых ямах и нанопроволоках ZnCdSe/ZnSe
• Внутризонные инверсии населенности и поглощение излучения среднего инфракрасного диапазона в квантовых ямах на основе соединений AIIIBV
• Исследование ловушек и электронного транспорта в оксидокремниевых композитах
• Механизмы излучательной рекомбинации в гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
• Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами
• Физико-математические модели многопараметровых электроемкостных систем для исследования диэлектриков